gaas表及其器件的硫钝化.pdfVIP

苌 3629s董 作者硅硕士生阶段主要集中于GaAs(100)面的硫钝化的研究以及硫钝化在实 际器件上应用的尝试，具体工作有以下几个方面： ／ 表面上的生长首先是非晶生长，厚度到几十埃以后，开始进入多晶生长。生长具 MISFET的绝缘棚。。 、 ／ eV，这意味 成份。j／并发现：GaS的淀积能使GaAs原有的表面能带弯曲减小0．4 t 着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除。给出了一个半定量的理论模型，来 解释GaS淀积引起的能带弯曲减小与以前湿法钝化引起的能带弯曲增大之间的不 同。 、J ，’ microwave III．j对实际的GaAs MESFET进行了硫钝化。聘统的SiN， power ／ 钝化会使栅漏击穿电压相比钝化前有较大降低，这对FET的高功率和高可靠性的 要求来说，是很不利的。通过我们的(NH。)，S处理，使FET的栅漏击穿特性得到 很大改进。击穿电压由18．8V提高到252V，在漏电流1mA情况下。接下来的 GaS淀积确保了钝化效果的稳定性。而且发现，来自GaAs表面费米能级钉扎引 起的耗尽层在FET的电流特性中起到很大的作用。通过对GaAs表面的处理，FET 的电流特性可以被调整。(NH。)：S+GaS钝化方法有一个明显的优点，就是与现在 的GaAs平面工艺相兼容。在未来，这种方法可能可以代替现在的SiN，钝化方法。 更进一步，这种方法可能也能应用在其它的GaAs实际器件上f 关键词：GaAs，表面，硫钝化 分类号：0472+．1 Abstract sulfur of andits on havefocuSed Studies GaAs(100)surfaces passivation application oftheauthor the devices．Thecontributions onthe GaAs—based major during practical Master areasfollow： period theGaSfilm I． andelectrical aredoneforboth Structural grown analysis byv印or— asan inwhichGaSfilmacts theMISstructure meth