ingaagaas应变量子阱半导体激光器的研究.pdfVIP

摘 要 长波长InGaAs材料的应变量子阱激光器多年来在国际上受到广泛 重视，但是由于应变材料受到临界厚度的影响，激射波长一直以来都难 以突破0．9—1．1¨m这个范围。 本论文针对InGaAs／GaAs材料的应变量子阱激光器作了深入而细 致的工作。以典型量子阱结构设计为基础对高应变量子阱激光器外延结 构设计及性能优化进行了研究。我们用试验证实高应变量子阱激光器有 a_ttllews 源层的临界厚度达到8．5nm，超过M B1akeslee等人曾经预测的 6．5m。采用优化生长条件的方法获得长波长高应变InGaAs／GaAs材料 的量子阱激光器。当腔长为680“m时，它的波长为1．192¨m。它的阈 值电流密度为275～cm2，内量子效率为91％，内损耗为6．5cm～。当腔 长为1400“m时，它的波长为1．201“m。 本论文还对半导体激光器的腔面镀膜进行了必要的优化。设计了一 套新型夹具，通过试验证实这种新型夹具明显地改善了腔面镀膜的质 量。 关键词：高应变 量子阱半导体激光器InGaAs，GnAs腔面镀膜 分子束外延生长 ABSTRACT w殛ch s硝)s拓躐e L鼬1鐾．wa：velen鏊攮m撤e矗啦scan毫le鏊ro黼onGaAs fbm havebeen muchin．【crcst ttle of to attracting viewpoimapplic砒ion tclecommunication．0win垡tomecriticalmicknessconstr荫“ts“hasbeen di蹦culttoac场eveomission beyond1．1蚪m谳攮lnGaAs． 拍e st疆ined l寰s嚣 d。钕il《stu莲yo珏l珏GaA霸。aAs壤痨lyqu疆搬￡骚m谰l arecarri喇outinthis s弧ined stnJctures paper-Basingon帅icaI qwmturn well welllaser studiedOn strajned laser stnlcture，we highly quantllrn smJctIIre．we detemlinedthecrittcal miclcIlessfor experimentally layer st赫毽1．2黏m hi蝌y l斑弧露G醯s瞬燃w秘s《goo矗姆st皱 is8．5llm．h雠eeeds壤evaiue qua重ity，1强ec矗tic甜layer氆ickness predicted a11d a MattllewsB1akeslee．Wedemons廿ate st蜥n1．2“m by hi曲ly InGaAs／GaAswell1aser me conditionsuchas qual眦um bychanginggrowttl d