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euvl微投影光学系统精密装调技术研究

图表索引 表1.1.集成电路发展及趋势………………………………………………………1 图1.1.用于验证O.Ipm分辨率的EUVL成像系统……………………………………2 图1:2.日本ASET设计的EUVL成像系统……………………………………………3 图1_3.美国EUVL四镜成像系统的装调……………………………………………4 图1.4.ASET设计的三镜投影光刻系统的装调……………………………………5 表2.1.EUVL微缩投影物镜初始结构参数………………………………………10 表2.2.EUVL微缩投影物镜结构参数……………………………………………II 图2.3.系统的传函…………………………………………………………………11 图2.4.传递函数随焦前焦后变化情况……………………………………………12 表2.4.EUVL微缩投影物镜结构参数调整公差(单位:mm)j………………-·12 表3.1.Zernike多项式……………………………………………………………15 图3.1.EUVL微缩投影光学系统装调流程图……………………………………19 表3.2.预选补偿器………………………………………。譬………………………20 图3.2.计算敏感矩阵流程图………………………………………………………22 表3.3.敏感矩阵表…………………………………………………………………23 图3_3.敏感矩阵的奇异值…………………………………………………………23 图3.4.像差奇异值向量及相应结构参数奇异值向量…………………·………一23 图3.5.残差和校正量大小随迭代次数的变化……………………………………26 图4.1.干涉仪绝对测量波像差……………………………………………………29 表4.1检测主镜MI得到的各个波像差…………………………………………31 图4.2.用Zygo干涉仪对M1检测得w1的波面图………………………………32 图4.3.w2和孵的波面图…………………………………………………………32 图4.4.w3和孵的波面图…………………………………………………………33 图4.5.绝对检测M1得到的ws波面图……………………………………………33 图4.6.绝对检测M2得到的波面图………………………………………………34 表4.2.检测主镜M1得到结果……………………………………………………34 表4.3.主镜M2检测结果…………………………………………………………36 表5.1.EUVL微缩投影物镜结构参数…………………………………………··38 图5.1.弓}八元件面形误羞扁的MⅡ………………………………………………39 表5.2.敏感矩阵表…………………………………………………………………40 强5。2.Schwarzschild镦缭投影秘镜透麓滚瑟豹装键结梅竣墨示意黼…………41 表5.3.糨装调下的像差(九一O.63281am)…………………………………………42 图5.3糨装调下系统的波颟误差…………………………………………………42 图5.4缀一次迭代后的波面圈……………………………………………………43 圈5.5.熬穗Schwarzsehild皴壤投影光学系统装调瓣绩采………………………毒4 圈5.6.鬻辘Sehwarzschild徽缩授影光学系绣豹逡取结莱………………………44 图5.7.Schwarzschild微缩投影光学系统物面的设置……………………………45 图5.8.Schwarzschild微缩投影光学系统像面的设鼹……………………………45 摘 要 在电子信息产业发展过程中,集成电路技术对现代化工业的发展和人们的生 活起了极其重要的作用,而光刻技术是集成电路生产技术的核心和关键,倍受世 Ultraviolet 界各国的关注。极紫外投影光刻(Extreme u 最有可能成为下一世纪生产线宽小于0.1m集成电路的技术,近年来在激光等 离子体光源、极紫外多层膜、光学加工和检测、光学精密装调、低缺陷掩模、光 刻胶技术以及高稳定工作台系统控制等关键技术方面得到了飞速发展。作为 EUVL关键技术之一,微缩投影光学系统的精密装调直接影响着系统的最终成像 质量。 针对EUVL投影光学系统对成像质量的高精度要求和精密装调对于

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