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er、tm杂znoal2o3的光致发光的研究

§4.3Er:Si:A1203各种结构薄膜的PL谱性质……………………………..34 §4.3.1薄膜结构中纳米硅的可见PL谱……………………………34 §4.3.2直接激发下的红外PL谱……………………………………….35 §4.3.3间接激发下的红外PL谱……………………………………36 PL谱的温度特性…………………………………………….37 §4.3.4 §4.4小结……………………………………………………………………38 第五章发光特性退火行为的研究…………………………………………………40 §5.1快速退火或常规退火对Er、Si分开掺杂多层膜发光的影响………40 §5.2先快速退火再常规退火对多层膜发光的影响………………………41 §5.3两次退火与一次退火后Er发光特性的比较…………………………43 §5.4小结……………………………………………………………………44 参考文献……………………………………………………………………………..45 发表文章……………………………………………………………………………..47 蜀C谢………………………………………………………………………………………………..48 万方数据 硕士论文 Er、Tm掺杂ZBO/A1203的光致发光的研究 塑堡堂系 筮苤查塑堡专业 学生姓名萱壑指导老师整量煎熬援 摘要 (1)Er、Tm和Si共掺杂ZnO薄膜的研究 为了实现在ZnO半导体材料中的宽带发光,我们了研究宽带敏化剂纳米硅 双层薄膜和Er:ZnO/Tm:ZnO双层薄膜都实现了宽带发光并且前者比后者的发光 ZnO薄膜中,Er和Tm扩散至整个ZnO薄膜,原有的双层膜变为单层膜(Er:Tm: 做了变温的PL谱测量并提出可能的Er,Tm和Si.NCs间能量相互转换的机制。 (2)Si.NCs对Er的发光增强的机制 层膜结构。在用能直接激发Er的488nm和795nm的激光激发下,多层膜的光致 发光(PL)强度比单层膜的发光强度增强了20多倍。在用不能激发Er的476nm的 激光激发下,多层膜和单层膜几乎都看不到发光。这说明多层膜发光强度的增强 并非来自于Si-NCs对Er的能量传递作用而是Er的无辐射退激发的减少。从而 说明Si.NCs对Er发光的增强作用不仅可以通过能量的传递,还可以通过减少 Er的无辐射退激发。 (3)Ah03多层膜结构发光特性的退火效应 我们用三种方式对A1203多层膜进行退火:1.快速退火40秒;2.普通退火30 万方数据 硕士论文 分钟;3.先快速退火40秒再普通退火30分钟。我们发现两次退火的可以形成更 强的发光强度。其原因可能是由于其更好的促进Si-NCs的形成。 关键词:铒;铥;三氧化二铝;氧化锌:光致发光;能量传递;纳米硅 万方数据 硕士论文 Abstract onthebroadbandemissionfromErTmandSi ZnO (1)Research codoped film Inordertoachieveb

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