ito透明电薄膜制备工艺及机理的研究.pdfVIP

THEPREPAR ATIONTECHNOLOGY 0FIT0TRANSPARENTCONDUCTIVEFILMS ADissertationSubmittedinPartialFulfillmentof Requirement forthe ofMasterofScience Degree By Meng Qingzhe Supervisor：Prof．YunzhangFang Matter Speciality：Condensed Physics Normal Zhejiang University,Jinhua， Mar．2013 ITO透明导电薄膜制备工艺及机理的研究 摘要 Tin 氧化铟锡(IndiumOxide简称ITO)薄膜材料是一种重掺杂、高简并的n 结构，[100-]方向是大多数明显取向)结构的多晶体。ITO薄膜不仅具有低电阻 率(1×10-4Q．cm)、高可见光透射率(≥90％)、高红外反射率(≥70％)、高紫 外吸收率(≥85％)等优异的光电性能，而且还具有高硬度、耐磨、耐化学腐蚀 性以及良好的加工性能，因此，从20世纪80年代工业化生产以来，它在LED 芯片、太阳能电池、薄膜晶体管(TFT)、电色层窗121、平板显示器以及抗静电 涂层等技术领域有着十分广泛的应用，并且充当着十分重要的角色。随着半导体 LED照明产业的迅速兴起，具有高亮度、高稳定性的LED芯片得到越来越多的 关注。但是，LED半导体器件中存在的问题也严重制约着它的发展，其中，最 严重的就是电流拥堵效应和金属半导体之间的肖特基势垒问题。然而，ITO薄膜 以其优异的光电性能充当LED芯片中的电流拓展层，有效的解决了肖特基势垒 和电流拥堵效应，对延长LED的寿命、增强LED芯片的稳定性和提高芯片亮度 都起到至关重要的作用。 本文采用电子束蒸镀技术研究TN备过程中各参数对ITO薄膜光电性能的 影响。本文主要完成以下几个方面的内容：1、了解怎样利用蒸镀手段制备光电 性能优异的ITO透明导电薄膜；2、充分利用测试手段对所制备的薄膜进行光学 和电学方面的测试。这些手段包括：利用XRD分析薄膜的相结构，分析薄膜的 组成成分和晶体结构；利用SEM观测薄膜表面形貌和断层的显微结构，分析薄 膜的生长机理；利用Hall测试仪测量薄膜的电学性能，研究退火温度与退火时 间和薄膜电导率、载流子浓度和电子迁移率之间的关系：利用紫外分光光度计测 量薄膜的透射率：利用四探针仪测量薄膜方阻等。3、通过改变蒸镀过程中的实 验条件，分析并找到制备ITO薄膜的最佳工艺参数。探究了在薄膜生长过程当 中，通过改变不同的工艺参数和生长条件(例如：反应时的氧气流量、蒸镀速率、 薄膜厚度，以及后期的热处理温度和热处理时间等)，从而改变ITO薄膜的光学 和电学性能。通过大量试验和后期对数据的处理，研究结果表明，电导率随氧气 流量的上升，先增加后减小，透射率随氧流量的改变并没有发生较大变化；电导 率随退火温度的上升先升高后下降，载流子浓度随退火温度的升高而上升，但超 过520。C之后就趋于稳定，迁移率随退火温度的上升先升高后下降，透射率随退 火温度变化不大，但透射谱中出现微小的Burstein移动；由实验结果可知，在氧 时，ITO薄膜的光电性能最佳，，薄膜方阻为6Q／口：可见光区(400．700nm)平 cm)。 均透射率为94％；电导率为7-314×103(1／Q 关键词：IT0薄膜；真空蒸镀；氧气流量；退火