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2015-10-26 发布于贵州
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nico薄各向异性磁电阻效应.pdf

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nico薄各向异性磁电阻效应

国昔痒痒巷太孽鱼鱼塑!些!g型垡!丝!笪!丝摘要本文研究了缓冲层和退火工艺对Ni74C026薄膜AMR的影响，就不同缓冲层和不同温高和实际应用提供了参考数据。取得的结果可归纳如下： AMR值达到最大，而后NiCo薄膜A豫值随着缓冲层厚度的增大开始减小，当缓冲层厚度超过9rim后，薄膜／gIR值迅速减小。还是Ta做缓冲层，NiCo薄膜的各向异性磁电阻都随着NiCo薄膜厚度的减小而下降。用冲层的同样厚度10rim的NiCo薄膜的A腿值为2．6％，提高了5096。 30％的提高，但随温度的继续升高A脓值急剧下降。 (4)X射线衍射结果表明不论哪个温度退火薄膜织构都得到了改善，但NiCo薄膜A慨值却在温度超过2000C后下降很快，小于制备态各向异性磁电阻。这主要是由于扩散引起，随着温度升高饱和磁矩Ms减小，矫顽力Hc增加。关键词：各向异性磁电阻：缓冲层：NiCo薄膜；退火 @嘈卑停站夫孽 !变!堡!坐!!型竺!!坚笪!笪 Abstract and The films DC structural NiTdC026 by magnetronsputtering,the were：preparedusing werestudied inthesis．The resultsobtained搬 magneticproperties systematically major as summadzedfollows． that of ftlmshasbeenstudied．Theresultsshow thicknessonthe the 酾Cr34bufferlayer properties at decreaseswithx theAMRvalueofthefilmreachesamaximumvalue increases，at x=Snm，then valuedecreases x9nm，the rapidly． (2)TheAMRvalue ofthe10nm Tabuffer AMRvalue thatofthefilms on5nm deposited layer．Forexample，the the Ni74C026 buffer is2．6％．theAMRvalueof Ni74C026 depositedon(NislFel9)66Cr34layer Ta on bufferis1．6％． deposited layer AMRrcachsitsmaximumat enha