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pt修饰to2纳米管阵列薄膜的制备及其光催化性能研究
摘要
摘要
随着能源以及污染问题的同趋严重,在众多可以利用太阳能光催化降解污染物的半
导体氧化物中,Ti02以其强氧化性、化学稳定性好、环境友好、无毒廉价等优势脱颖而
出,吸引了研究人员的大量关注。然而Ti02存在着两个制约其广泛应用的瓶颈因素:
禁带较宽,约3.2eV,仅能受占太阳光4‰5%的紫外光激发;另一方面,光生载流子的
高复合率也严重制约了其对于所吸收能量的利用,阻碍了Ti02在实际中的广泛应用。
贵会属沉积是一种有效改善半导体光生电子空穴对分离效率的一种传统方法。本文
采用阳极氧化法制备得到了Ti02纳米管阵列薄膜,并在其上修饰了贵金属Pt,研究了
制备方法及后处理条件等对光催化活性和光电性能的影响。
采用水热法和光还原法两种不同方法制备了Pt.Ti02,经过表征发现Pt修饰可以很
大程度地提高半导体催化剂Ti02的光催化降解和光电响应能力;光还原法制备的
Pt.ri02,由于Pt颗粒在半导体表面分散均匀,具有更高的光催化活性。考察了光照还
原时间、贵金属沉积量、后处理退火温度和气氛等制备条件对Pt.Ti02光催化活性的影
响,发现Pt的沉积量及沉积形式是影响P1.Ti02光催化活性的重要因素。
氢气气氛下不同温度处理Pt.Ti02的光催化研究结果表明,沉积的n表现出不同的
侧面图中均可看到有Pt颗粒的存在且随温度的升高逐渐增大;XRD显示Ti02晶型随处
理温度的升高而趋于更加规整。XPS证实了确实有Pt沉积于Ti02,但不同条件下处理
后的Pt具有不同的价态。光催化降解甲基橙和光电化学响应的实验表明,经过氢气气
氛中2000C处理之后以零价和(II)价存在的Pt具有最佳的光催化效率和光电化学响应。
氢气气氛下5000C处理之后的Pt颗粒仅以零价的单质形式存在;但Pt颗粒在高温下发
生团聚,以至于比表面积减小,反应活性位减少,光催化活性有明显降低。
关键词:Ti02纳米管阵列薄膜,光催化,光电流响应,贵金属沉积
Pt修饰Ti02的制备及其可见光催化性能研究
ABSTRACT
Abstract
waste·
tOmassesofhome andindustrial
hasbeen seriousdue scrap
increasingly
Rencently,pollution
numbersof semiconductors,Ti02array Ti02
Among pollutant—degrading
attentiontOtheir
anode drawmuch
nanotubefabricated oxidation,have owing strongoxidbillity,
arrays by
thesame a
excellentmechanicalandchemical andlowcost.At time,as
stability,environmentalinnocuity
beexcitedUVirradiation under400
Call by wavelengtham,and
semiconductor,Ti02only
large—band.gap
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