mn掺杂g2o3薄膜的制备、结构和光学性能研究.pdfVIP

郑 州 大 学 硕 士 论 文 摘要 摘 要 G a20 3是一 种 宽禁 带 半 导体材 料 ，禁 带 宽度 (E g) 为 4.2 一4.9 eV ，其 导 电性 能 和 发光特 性 长 期 以来 一 直 受 到人们 的关注 。G a20 3有 5种 晶体 结构 ，包 括 a一G aZO 3、 p一G aZo :、丫一G aZo 3、。一G aZO :、6一G aZO :。其 中具有 单斜 结构 的p一G aZo 3在 室温 下最 稳 定 ，在稀 磁 半 导体 、发光 材 料 、气 体传 感 器 、G aA s太 阳能 电池 的消 反射 涂 层 、深 紫 外透 明导 电氧 化物材 料 以及 氨 化 处理制 备G aN 高质量 外 延薄膜 等方面 有着 广 泛 的应 用 。作 为 目前 已知 的禁 带 宽度 最 大 的透 明导 电材 料 ，p一G a20 3在 紫外和 可 见 区透 过 率 达 80% 以上 ，是一 种 潜 在 的紫 外 光 电器 件 的 电极 材 料 和 紫外探 测 材 料 。 理 论计 算 表 明 ，M n掺 杂会 在G aZo 3价 带顶 引入 若 干 杂质 能级 ，使 其 光 学 带 隙变 窄 。控 制M n掺 杂 含 量 ，可 实现G a20 3光 学 带 隙 的调 节 ，有 望制 备 出带 隙可 调 的紫 外 探 测 器 和 对 应 不 同波 长 的紫 外 滤 光 片 。此 外 ，G a20 3掺M n 能够 产 生 自旋 极 化 ，在 室 温 或 高 于 室温 下 具 备 铁 磁 性 。因此 ，通 过 适 当 的制 备 工 艺制 备 出高质 量 的G aZO 3薄 膜 ，有 望 实现G aZO 3基 高温 稀 磁 半 导体 。 G aZO3 薄 膜 的制 备 与 现 代 镀 膜 工 艺相 容 ，通 过 适 当 的工 艺控 制 和 改性 研 究 ，制 备 出高质 量 、高性 能 的G a20 3薄膜 ，对 光 电探 测 和 自旋 电子 学 等 技 术 领 域 将 具有 重 大 意 义 。 本 文采 用 磁 控 共 溅 射 法 制 备 M n 掺 杂 G aZo 3 薄膜 ，使 用 sE M 、x R D 、u v-vis 分 光光 度 计 、椭 圆偏 振 仪等 对 制 备样 品进 行 表 征 ，研 究 了 G a20 ;薄膜 的制 备 工 艺 、 退 火温 度 和 M n 掺 杂 含 量 对 M n 掺 杂 G aZO :薄膜 的微 观 结 构 、光 吸 收性 能 以及 光 学 常 数 的影 响 ，主 要 结 论 如 下 : 1. 采 用 磁 控 共 溅 射 法 ，可 制 备 出接 近 化 学 计 量 比的 M n 掺 杂 G aZO :薄膜 。本 工 作 最 佳 工 艺参 数 为 : 工 件 转 速 60 rpm ，衬 底 温 度 200一250 ℃ ，背 景 真 空 1.3 Pa ，氧 分 压 0 .6 P a ，溅 射 电压 850 V ，溅 射 电流 0 .2 A 。 2 . 适 当 的热 处 理 能够 改 善 M n 掺 杂 G a20 3 薄膜 的表 面 形 貌 、晶粒 分 布 和 晶体 结 构 。 (i) 未 退 火 M n 掺 杂 G a20 3 薄膜 ， 晶粒 较 小 、形 状 不 一 、分 布 不 均 匀 ; 而 退 火 后 的 M n 掺 杂 G aZO :薄膜 ，晶粒 增 大 ，分 布 明显 改 善 ，表 面 平 整 度 有 很 大 提 高 。(11) 郑 州 大 学 硕 士 论 文 摘 要 未 退 火 的 G aZO :薄膜 为 非 晶态 ，退 火 后 G a20 3薄膜 的结 晶度 明显提 高 。实验 发现 ，丫- G aZO ; 向 p一G aZO :转化 的相 变温 度 为 600 ℃一750 OC ，750 0C 以上 的温度 有 利 于 单斜 晶 系 p一G aZO :的定 向生长 。1000OC 为 比较 合适 的热处理温度 。 3. 适 量M n 掺 杂 能抑 制 G a20 3薄膜 的 晶格 膨 胀 ，促 进 晶粒 的定 向生长 ，得 到尺 寸 分布较 均 匀 的 多面体状