mocvd统的建立及铁电材料动态热释电响应的研究.pdfVIP

杨同青同济大学博士后研究工作报告 MOCVD系统的建立及 铁电材料动态热释电响应的研究 摘 要 建立了一套低压热壁MOCVD铁电薄膜制各系统。该系统由输运系统、气 动系统、加热系统、反应系统、排气系统以及电路控制等部分组成，包括两套 低压热壁反应系统，三路气态输送系统和一路液态输送系统，可大大缩短铁电 薄膜的研制周期并可根据需要制备多组元铁电薄膜。 建立了热释电红外探测器动态响应测试系统，对该系统的一些主要参数进 行了确定。旌锁相放大器的时间常数设置为200ms时，测试系统的噪声等效带 宽△厂为lHz左右。给出了表示热释电红外探测器性能的主要特征参数的定义及 其公式。y7 研究了PZST反铁电陶瓷在不同温度和偏置电场下的动态热释电响应特 性。(随着温度的升高，PZST极化态样品在动态响应测试中显示出与静态响应 测试中相同的宏观相变温度耳。。。，偏置电场可使相变温度向高温移动。在静 态响应为峰值时的宏观相变温度附近，由去极化电流所产生的非可逆信号在静 态响应中占主要部分，而在相变温度咀下的室温，由热释电电流所产生的可逆 信号占主要部分。通过与LiTaO，单晶的测试对比，室温时可逆部分的热释电系 数要比LiTaO、单晶大4倍以上。广叫 ／ 测试和研究了PT铁电薄膜的电滞回线和动态热释电响应，并对铁电薄膜 的归一化探测率D’进行了计算。，在没有黑化层的条件下，得到D’(673，10，I)为8．7 ×106 cmHz。2矿’数量级。户√ 关键词：MOCVD，热释电，红外探测器，黑体辐射源，世卜叶愀率，噪。声} 等效带宽，陶瓷，铁电薄膜，反铁电，动态响应，可道熟器电—菲和 逆燕释咤． 杨同青同济大学博士后研究工作报告 SET-UPOF MoCVDSYSTEMAND DYNAMIC PYROELECTRIC RESPoNSEoF ABSTRACT Low withhotwallforthe of pressure-MOCVDeqmpmem deposition was ferroelectricthinfilm established，whichconsistsof system， SOurCes—transport system，heating for gas-controlling system，reacting system，disposalsystem and this reactorswere exhaust—gaselectric·controllingsystem．In equipment，two three installedwith sourcelinesandone sourceline，SOthe of gaseous liquid period thinfilmdecreases offerroelectric