ini和if分子电子态从头算法研究.pdfVIP

摘 要 单卤化铟分子对开发半导体材料、光电材料以及激光介质等新型材料起着重 要的作用。然而由于它们电子态结构的复杂性以及实验条件的制约，目前对单卤 化铟分子的实验研究还存在着许多问题，尤其对于较高的激发态缺乏全面详尽的 了解。在理论上，大多数的研究集中在基态上，特别是InI和InF两个分子，目 前还没有对它们激发态的理论研究的报道。本论文使用量子化学从头计算方法分 别对InI和InF分子的电子态进行研究。主要工作有： 1． 子^一s电子态进行计算，得到了包括Rydberg态在内的激发态，获得了与 实验值符合较好的光谱常数。对实验上难以分辨的位于31500cm。附近的连 续谱带做了归属。 2． 使用内部收缩的多参考单双激发组态相关加Davidson型修正 (ic．MR—CISD+Q)结合全电子基组对InF分子价电子态进行计算，并通过自 旋轨道耦合(soc)计算得到了轨道分裂后的Q价电子态，获得了与实验数据 比较接近的光谱常数。 关键词： InI，lnF， 数。 ‘ !黧镩、譬鼢间肯∥ 匆垒文公裙 Abstract indium molecules inthe The play roles of monohalogen important development new oflaser new devicesand type media．However， semiconductors，opto—electronic these inelectronicstatestructureandthelimitationof molecules’complexity conditionresultin in experimental many experimentalworks．Especially， problems excited ofthesemoleculesarenotknown the statestructures to very higher clearlyup workshavefocused ontheir now．In theoretical states， addition，the mainly ground forlnl studiesontheirexcitedstatesarenotfounduntilnOW． and especially InF,the Inl Inthis theelectronicstatestructureof andInF