icp调谐片偏压跳变回滞现象的研究.pdfVIP

大连理工大学硕士论文 摘要 摘 要 在CCP(capacitire coupling plasma)中调谐基片偏压具有 不连续变化现象，当基片之间为渐增的感抗时，基片上会产生渐 增的负偏压。但当电感增加超过一关键值后，基片电位不连续地 减小，有时变为正值。 我们研究小组首次在ICP(inductfve couplingplasma)中进 行了射频调谐基片偏压实验，并且观察到基片偏压的双稳、跳变 回滞现象。实验中在基片台上外接一个LC串联电路，随着调谐电 容的增加，基片偏压超过一定值时，偏压曲线由负的最大值跳到 上面的曲线分支；当减小调谐电容，基片偏压并不在原上跳电容 值处下跳，而是在上面曲线分支稳定一定电容间隔后下跳。 论文通过实验结果分析了基片偏压产生双稳、跳变回滞现象 的物理原因，给出了影响跳变回滞的因素。 实验结果表明这种跳变回滞现象与等离子体的放电气压、射 频功率以及调谐外电路的参数等多种因素密切相联系。而产生跳 变回滞现象的原因是ICP中存在容性耦合以及鞘层电容具有非线 性特性。鞘层电容的非线性变化导致了基片偏压的非线性变化。 关键词：射频、调谐基片、基片偏压、双稳态、非线性、鞘层。 大连理工大学硕士论文 Abstract Abstract inaCCP isa characteristicontuned system，there discontiguous substrateself-biasWhenthe betweensubstrateand impedance ground wasmade inductive．a dc developed increasingly largenegativepotential onthesubstrate theinductancewasincmaseda However．when beyond certain dc critical substrate value，the potentialchangeddiscon日nuous『y toasmall，sometimes positive，value． tuned inan Ourresearchfirst substrate groupdeveloped experiment circuitconnectedtothe it ICP LCresonancewas substrate．and system．A isfoundtherewere insubstrate that