不完整晶体电子结构计算.pdfVIP

摘 要 摘 要 f ＼不完整晶体含有缺陷、掺杂或者无序。缺陷存在于晶体生长的过程中并对晶体的性 } 质产生很大影响；掺杂是为了拓展晶体用途人为地往晶体掺入某些物质，可被视为某种 特殊的缺陷；无序常出现在混晶中，而很多混品材料属于高科技材料。由于不完整晶体 用途日益广泛，对它们的研究自然成为凝聚态物理的一个重要课题。但由于失去周期性 边界条件，不完整晶体的理论计算相当困难，我们只得对不同的研究对象采用不同的近 似计算方法。 对含有点缺陷的不完整晶体，通常使用原子团簇(cluster)方法或超原胞模拟计算方 法，两种方法各有其优缺点。原子团簇方法能够提供缺陷能级的相对位置，但无法确定 它们相对于价带顶或导带底的确切位置。超原胞模拟计算则可以确定缺陷能级的具体位 置，但为了减小周期性边界条件的影响，超原胞的尺度必须尽量地大，这无形中增加了 非常大的计算量。为了取得良好的计算效果，我们在本论文中提出了以下两条准则： (1)由于缺陷的存在，超原胞中即使同一种原子也会有不同的电荷密度。因此必 须根据对称性及其与缺陷中心的距离远近，再对超原胞中同种原子进行必要的分类。这 样当然更有利于获取体系更多的有用信息。 (2)远离缺陷中心的原子的净电荷应与基质中同种原子的净电荷相差不大，这样 才能确保周期性边界条件对缺陷中心的影响较小，使计算结果较可靠，否则还需进～步 扩大超原胞。 另一方面，在混品计算中，已往常采用刚带近似(P．aA)，虚晶近似(VCA)．相干势 (CPA)等方法。这些近似方法是通过对某些物理量取平均的办法来恢复周期性边界条件。 取平均的物理量可能是原子序数，原子紧束缚参数，原子势参数，甚至是态密度本身。 上述近似方法通常适用于金属键混晶系统，但对于共价键或离子键混晶系统计算结果则 不理想。在本论文中，我们尝试埘一种全新的计算方法——统计超原胞法来计算混晶的 摘 要 电子结构。这种新方法是将计算过程分为两个阶段来进行：先计算混晶中微晶的电子结 、 构，再利_l{j统计理论将无序效应包括进来。点 ／ 本论文由五章组成。旺全文中我们使用标量相对论性的LMTO．ASA方法来计算能带 、 胞模拟计算，是因为使用这种方法时计算量较小而结果又能满足一般的精度要求叠在本 论文第一章，我ff_J集中介坌『{了本文所用的计算原理和方法，其中除了LMTO—ASA方法外． 我们还详细介绍了特殊k点方法和统计超原胞方法。 在第二章，作为研究发光中心的一个例子，我们计算了纤锌矿硫化锌掺铜的电子结 构／计算结果表明，铜发光中心的能级与铜的价态和是否加入共掺杂剂有关。在硫化锌 ＼ 一 掺铜掺氯和硫化锌掺铜掺铝时，铜受主能级反常地深，比较靠近导带底。而在硫化锌只 掺入一价铜(这时有硫空位存在)，铜发光中心为一缔合中心。至于硫化锌掺杂二价铜， 此时铜的类d带则位丁价带顶上方。上述不同情形的铜发光中心的发光机制分别与 在第三章，作为研究晶体点缺陷的一个例子，我们计算了砷化镓中反位砷的电子结 } 构。砷化镓中的反位砷因与EL2中心紧密相关而倍受人们的关注。／我们的主要计算结果 一一～1 、 是，带隙态主要是由反位的砷原子与邻近的砷原子通过反键键合而产生的，且带隙态由 4-1．07 eV处。我们的 ev和ET2=EAI 类Al和类T2态组成，其能级分别在EAI=Ev+0．70