低损耗新型基厚膜材料及其在射频微波器件中的应用.pdf

中 文 摘 要 近年来，硅基单片微波集成电路(MMIC)设计已经变成一个非常重要研 究课题。对硅基有源器件，如MOSFET’S和BJT’s等，通过改进工艺技术， 可以得到很高的特征频率矗和振荡频率厂m。性能，能够满足射频／微波应用 的要求。然而，由于低阻硅衬底的高频损耗，在射频／微波应用中，要在低 阻硅衬底上实现高Q值的无源器件，尤其是电感，是相当困难的。 为了提高硅基无源器件的射频／微波特性，已经提出了许多方法，其中 包括：使用高电阻率(≥3000Q．c聊)的硅衬底来获得与低损耗的半绝缘GaAs 材料相似的性能，但在高阻硅衬底上采用现有的CMOS工艺不能实现有源 电路；将无源器件下的低阻硅衬底腐蚀成小槽，可以消除低阻硅衬底带来 的不良影响，但同时腐蚀增加了工艺成本，而且加工难度较大；．使用离子 注入技术将低阻硅的晶格错位形成一高阻层，可以减少低阻硅衬底的损 耗，但其工艺非常复杂；还有诸如插入一层厚介质膜，如多层膜、聚酰亚 胺(Polyimide)以及二氧化硅膜等高阻材料。以上方法基本是集中在改善低 阻硅衬底的传导和降低损耗，来改善射频／微波无源器件的性能，但这些方 法均存在许多不同程度的缺陷。 本论文主要的研究内容分为两个方面：其一是厚度可控的与IC工艺 兼容的多孔硅膜的形成技术研究：其二是研究在多孔硅／氧化多孔硅介质膜 上制备无源器件的微波低损耗特性之可行性。 ． 已经取得的研究成果有： A、论文采用氧化多孔硅作为单片微波集成电路中无源器件低损耗、低 介电常数的介质膜，研究开发了厚度达500／．an多孔硅的制备技术。 B、论文得到了多孔硅形成速度的定量表达式，在实验误差的范围里， 理论值与实验值吻合得很好。 C、论文首次提出使用过氧化氢后处理多孔硅厚膜工艺。在乙醇、氢氟酸、 过氧化氢溶液中，多孔硅样片做阴极施加电流密度为lOmA／cm2，实验获得了稳定 性好、表面光滑及机械特性良好的多孔硅厚膜。XRD光谱显示在20=32．62。出 现了一个小峰，揭示了经过过氧化氢后处理后多孔硅表面形成了一层二氧化硅 (110口)膜，从而提高了多孔硅厚膜的稳定性。 D、论文成功地使用阳极电化学腐蚀制备了直径为2英寸、厚度达 500Mm的体多孔硅厚膜，其电阻率达105Q．cm。SEM形貌图显示多孔硅厚膜 表面的光滑度良好、微间距仅为约20nm。 E、论文研究了以在低阻硅(0．01Q．cm)上生长的多孔硅／氧化多孔硅厚 膜为衬底制备的共平面波导(CPW)的微波插入损耗特性，其介质膜的厚度 分别是10／．an和70／an。实验测量了制备在氧化多孔硅上的共平面波导的微 波特性，证明氧化多孔硅介质膜极大地改善了CPW的微波传输特性；得 到了CPW的插入损耗为7dB／cm。初步研究了制备于多孔硅介质膜上级联式 MEMS相移器的传输特性。在硅基高频IC应用中，多孔硅／氧化多孔硅厚膜 将是一种非常有吸引力的介质膜。 关键词：射频／微波，多孔硅／氧化多孔硅，损耗，后处理，介质膜，共平 面波导(CPW) 一II— Abstract microwave onSisubstrates Monolithic circuit(MMIC)designs integrated an inrecent the havebecome process importanttopic years．Byimproving active andBJT’set devices，for al， technologies，Si-basedexample，MOSFET’S demonstrat