化学溶液分法(csd)制备bilt;,2gt;tilt;,2gt;olt;,7gt;薄膜、pb(zrlt;,0.5gt;tilt;,0.5gt;)olt;,3gt; 铁电薄膜及其物理性能研究.pdfVIP

摘要 摘 要 ／ {铁电薄膜具有铁电、压电、热释电、电光等一系列重要特性，是一类重 要的功能材料，在微电子学和光电子学领域有着广泛的应用，其中重要的应 用之一是铁电存储器。铁电存储器具有非挥发、存取速度快、抗辐射等优点， 成为当今存储器发展的新方向之一。锆钛酸铅(PbZr。Ti。_x03)铁电薄膜是当前 用途最广、研究最深入的铁电薄膜材料，是制作铁电存储器的主要候选材料 之一。Bi：Ti20，薄膜具有较高的介电常数和良好的绝缘性，是制作动态随机 存储器和绝缘栅场效应管的主要候选材料之一。化学溶液分解法(Chemical Solution 础上改进的一种化学制膜方法，除继承了二者的优点外，还具有工艺更简单、 、 成本更低的优势一 本论文采用化学溶液分解法，以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料制备了 Bi2Ti：0，薄膜；以醋酸铅和钛酸四丁酯为原料制备了PbTiO，薄膜；以硝酸锆、 醋酸铅和钛酸四丁酯为原料制备了Pb(Zro，R，)O，铁电薄膜；成功地将该方 挡层制备出Pb(Zro，Ti。，)O，铁电薄膜。通过多种分析测试手段，系统地研究 5砜s)03铁电 了热处理工艺等对Bi2Ti20，薄膜、以PbTi03为籽晶层的Pb(Zro 面形貌、取向及物理性能的影响；通过x射线衍射技术及透射电镜对 Bi2Ti：0，、Bi．Ti3012、PbTi03纳米晶体材料进行了初步分析。 C本论文的主要结论如下： —+一 摘要 晶条件为550 4C退火10分钟，得到的薄膜为多晶膜，高(111)取向；薄膜表 面无裂纹，晶粒排列致密，晶粒大小、分布均匀。 膜的漏电流密度很小(绝对值)，数量级基本为10。或低于lO～；薄膜的漏电 流密度随着退火温度的升高而减小，随着退火时间的延长而增大；晶态成膜 工艺制得薄膜的绝缘性比非晶成膜工艺的好。 Na．离子具有阻挡作用。 时的介电常数大小在159～149．6之间。 2．(A)退火温度为700C，退火时间为5分钟时可得到结晶性和取向性 良好的PbTi03薄膜；成功地以硝酸锆为原料，在PbTiO，籽晶层上制备出(110) 取向的PbZro5Tio503薄膜。 (B)以PbTi03为籽晶层的PbZro5Ti。，O，薄膜的漏电流密度随着退火 温度的升高而减小，随着退火时间的延长而增大；在750C退火5分钟可 以得到结晶性、取向性和绝缘性都较好的PbZro5Ti¨O，薄膜：当频率为50KHz 时，薄膜既具有较大的介电常数(234．3)，又有较小的介电损耗(O．265)。 3．(A)以Bi：Ti20，为阻挡层制备Pbzro sTio，O，薄膜，在750C退火10分 钟可以得到结晶性较好的Pb砜，Ti。O，薄膜；交叉成膜工艺的结晶性比在 Bi，Ti，0，上生长多层PZT膜的差。 (B)以Bi2Ti20，为阻挡层的PbZro5Ti¨03薄膜有明显的C．V回线，回 滞方向为逆时针方向，表明薄膜的电荷存储模式正是所需的电极化型存储： 薄膜的积累态电容和反型态电容保持很稳定，去掉偏压106秒后积累态电容 —-II— 摘要 为逆时针方向；薄膜的积累态电容和反型态电容保持很稳定，去掉偏压106 秒后积累态电容值基本不变(5％)，去掉偏压105秒后反型态电容从147pF 升至204 pF。 4．(A)成功地用化学溶液分解法合成了Bi：Ti：O，和Bi4Ti，O．2纳米晶体 材料；发现Bi：Ti20，纳米晶体具有圆形半透明颗粒、细长锥形、棒状及小 颗粒聚集形成的三维结构等几种形状；Bi。Ti，O。纳米晶体具有圆形半透明 颗粒状和棒状。 (B)成功地用化学溶液分解法合成了PbTiO，纳米晶体材料，研究表 明在700℃退火60秒得到的PbTiO，纳米晶体的结晶性较好。 综上所述，用化学溶液分解法制备的Bi：Ti20，薄膜和PbZr