抛物量子阱的电子(空穴)极化子态.pdfVIP

抛物量子阱中的电子(空穴)极化子态 摘 要 本文研究抛物量子阱(PQW)结构中电子一光学声子相互作用对电子和空穴态的 影响，进而讨论电子和空穴极化子态。在有效质量近似下，根据形成抛物阱的方式 不同，对GaAs-A1,Ga-As交替生长和AI,Ga，一，As组分沿生长方向连续变化这两种不 同结构的 “组分”抛物量子阱，分别假定电子 (空穴)质量为固定值和随生长方向 的坐标连续变化。关于电子一声子 (e-p)作用，我们不仅考虑了阱内局域的体纵光 学 (LO)声子和垒LO声子，同时还计入较为复杂的界面光学 (10)声子的影响。在 计算中，首先通过么正变换简化e-p作用，再用变分理论计算极化子能量。在解析 推导的基础上，对不同厚度的PQW结构进行数值计算，获得了关于电子和空穴自由 极化子和束缚极化子基态、激发态能和跃迁能量的新结果。理论结果与实验进行了 比较。 (研究结果表明，局域的阱LO声子对极化子基态能量的贡献随阱宽L增大而增加; 垒LO声子的贡献随L增大迅速减小，最后趋近零。声子总贡献先随L增大而减小， 达到最小值后随L增加，最终接近GaAs材料的三维 (3D)值。e-p相互作用对能量 的贡献很明显。阱宽较小时，垒LO声子起主要作用;阱宽较大时，阱LO声子贡献 起主要作用。束缚极化子基态结合能 (Eb)和 Is--劫，跃迁能量首先随着L的增大 而增大，达到最大值后缓慢下降，最终接近GaAs的3D值。声子的作用对束缚极化 子能量有明显的影响，使其束缚减弱。在三类声子中，10声子和局域LO声子对极 化子能量的贡献较大，而垒LO声子贡献则比较小。 我们的研究结果还表明，有效质量的坐标依赖 (SDEM)效应对极化子基态能量 和结合能的贡献是明显的。同时，这一效应在抛物量子阱非常窄的情况下很小，随 着阱宽L的增大而急剧增加，达到某个极大值;以后，随着阱宽继续变大，由于SDEM 梯度降低，相应的效应也随之减小，最后变为零。因此，在特别窄和特别宽的阱中， SDEM效应都是可以忽略的。对极化子跃迁能量，我们的理论结果接近于实验结果。\ 关键词:抛物量子阱，电子一声子相互作用，极化子，结合能 亥 才 多年来，作者在梁希侠教授的指导下从事凝聚态物理方向的研究工作，在学业 和生活方面得到了他细心的指导和特别的关怀。梁先生渊博的物理知识、活跃的学 术思想和严谨的治学态度使我受益匪浅。他高尚的思想品德和刻苦钻研的精神给我 树立了榜样，并时刻鼓励我拼搏向上。本文正是在他的精心指导下完成的，在此， 谨表示我对梁先生最衷心的感谢和诚挚的敬意。 近几年来，班士良教授和郭子政副教授对我的学习、研究和工作等方面给予了 极大的关怀和帮助，在此表示衷心的感谢。也向给予我许多关心和帮助的王旭教授、 云国宏教授致谢。 内蒙占大学理工学院、研究生院、物理系各级领导和老师们对我的学习和生活 给予了极大的帮助，在此一并表示感谢。感谢内蒙古大学物理系资料室刘桂荣老师。 她在检索资料方面为我提供了极大的方便。 感谢内蒙古师范大学领导、内蒙古师范大学物理系诸位领导、老师和同事们的 鼓励和帮助。 感谢我的亲属和朋友们对我的支持和帮助。 内蒙占大学博士论文 第一章 绪 论 1.1国内外研究状况 从70年代开始，人们用分子外延 (或金属有机物化学气相沉积)方法制造各种 人工设计的量子阱和超晶格材料I’一’。，。在此基础上，人们成功地制造出抛物量子阱 (PQW)。抛物量子阱有两种类型，一是掺杂PQWn,-,53，另一个是组分PQWnn-221。前者 是在外延生长某种半导体材料过程中交替进行N型和P型掺杂构成的。掺杂抛物量 子阱的抛物势是来自可变的空间电荷，空间电荷分布的不同可以改变势分布”‘’·」，2」〕。 因此，通过各层薄膜中交替进行N型和P型掺杂而获得所需的掺杂抛物量子阱。后 者 (如GaAs/A1,Ga,-,As)是由GaAs和A1,Ga,-,As层交替生长而产生的，且每个层厚 度均改变口A1,Ga,-,As的厚度从中心向外急剧增大，而GaAs层的厚度从中心向外急 剧减小n5}。组分PQW的抛物势来自GaAs和Al,Ga,-,As层材料的能隙宽度和电子在这 两种材料中的能量差以及各层厚度的变化{,6