氧空位对纯的和c(n)掺杂的锐钛矿二氧化钛电子结构及光催化活性的影响.pdfVIP

EFFECTS OF OXYGEN VACANCIES ON THE ELECTRONIC STRUCTURE AND PHOTOCATALYTIC ACTIVITY OF PURE AND C(N)-DOPED ANATASE TITANIUM DIOXIDE A Dissertation Submitted to the Graduate School of Henan University in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Master of Science By Lu Zhijuan Supervisor: Prof. Li Yuncai and Dr. Huang Xiaowei Date: June, 2013 摘 要 在还原气氛中或在真空中，纯净TiO2 和C （N ）掺杂TiO2 体系中很容易产生氧空位， 但是其对各个体系电子结构和光催化活性的影响仍有较多争议。基于此，本文采用标准 密度泛函理论开展了以下三部分的研究内容：氧空位对纯净 TiO2 的电子结构及光催化 活性的影响；氧空位对C 掺杂TiO2 电子结构及光催化活性的影响；氧空位对N 掺杂TiO2 电子结构及光催化活性的影响。 通过形成能计算，发现在补偿掺杂（即氧空位释放的多余电子数与受主杂质引进的 空穴数相等）的情况下，氧空位更倾向位于杂质离子最近邻的位置上。 差分电子密度和Mulliken 布居分析表明，氧空位释放的2 个多余电子并没有局域在 氧空位附近。在含氧空位的纯净TiO2 体系中，这两个电子主要位于与氧空位相连接的3 个钛离子周围；在含氧空位的C(N)掺杂TiO2 体系中，这两个电子主要位于杂质离子和 与杂质离子相连接的Ti 离子周围。 在包含氧空位的C(N)掺杂TiO2 体系中，杂质引进了带间隙态，氧空位则显著降低 了深能级杂质带的能级，这使得光生载流子的复合几率极大地降低，对 TiO2 光催化活 性的提高非常有利。 包含氧空位的 C(N)掺杂 TiO2 体系具有与传统阴阳离子补偿共掺杂 TiO2 相似的优 点，即可以降低单掺杂引进的杂质带的能级，消除某些深能级杂质带，降低光生载流子 的复合几率。这为理解氧空位对C 和N 掺杂TiO2 电子结构及光催化活性的影响提供了 一条新的思路。 关键词：氧空位，C 掺杂TiO ，N 掺杂TiO ，电子结构，光催化活性 2 2 I II ABSTRACT Many studies have shown that it is easy to generate oxygen vacancies in pure, C-doped and N-doped TiO2 in a reducing atmosphere or in a vacuum, but a lot of controversies still exists about the effects of oxygen vacancies on the electronic structures and photocatalytic activity of various systems. So this issue deserves further study. In th