溶胶-凝胶制备钛酸锶钡多层膜的漏电流性能.pdfVIP

溶胶一凝腔法制备钛酸锶钡多屡膜的蔫电流性能 中文提要 中 文提要 钛酸锶钡(Bat．。Sr，TiO,或BST)以其高介电常数、低损耗，介电响应快、疲劳 强度大等优点，在下一代动态随机存储器(DRAM)上的应用前景非常广阔，是近年 来人们研究的热点。虽然在这方面的工作己取得可喜的进展，但要使其成功地应用于 DRAM器件上，仍有很多问题有待进一步解决，如较高的漏电流现象。数据一旦被 写迸DRAM，每个小电容上电荷的存储时间就必须大于DRAM的刷新脉冲时间，如 果由于漏电流致使存储的电荷丢失，就会导致数据读取的误操作。所以有必要降低漏 电流以增加读取数据的可靠性。因此，漏电流性能的改进将是一项很有意义的工作。 本文采用溶胶一凝胶法，通过降低最底层和最上层的退火温度，在Pt／Ti／Si02／Si 衬底上制备了非晶，多晶型BST多层膜，不仅改善了正向漏电流特性，而且也改善了 反向漏电流特性。从多层膜的XRD图可以看出明显的鼓包，表明有BST的非晶层存 在。这也可以从SEM表面形貌得到证实。而且，通过降低最上面非晶层的厚度，可 以有效地控制薄膜的介电常数，而损耗依然保持较低。 本文就LaNi03缓冲层对BST薄膜漏电流的影响也进行了初步研究。在 和BST薄膜在品格结构和晶格常数上的相似性给BST薄膜和底电极提供了更好的晶 格匹配，从而改善BST薄膜的性质。从XRD图可以看出这样制备得到的BST薄膜 有明显的择优取向性。与同厚度的BST膜相比漏电流性能有了明显改普，介电常数 也有提高，而损耗仍然保持较低。 关键词：钛酸锶钡薄膜，动态随机存储器，溶胶．凝胶法，漏电流 作 者：朱燕艳 指导教师：沈明荣 溶胶一凝胶法制备钛酸锶钡多屡胰的漏电流性能 英文提要 Abstract Bariumstrontium hasbeen titanate(BST)filminvestigated extensively forthe inthe randomaccess hi【gh memories application densitydynamic ofthemostcrucial electrical ofthesefilmshas (DRAMs)．One parameters beenthe currentlevelDRAM of data leakage cells．Oncehasbeenwrittenin storedineach mustmaintain DRAM，charges capacitor morethantherefresh time SOthattheinformationin storedeachDRAMcellcanbereadout current mustbe low correctly．Therefore，leakage