电化学自组金属氧化物及其复合结构和光电器件的研究.pdf

摘 要 摘 要 ZnO是一种宽带隙的半导体材料，室温下禁带宽度为3．37eV，激子束缚能 高达60 meV，具有优良的物理和化学性质，是目前光电子研究领域的热点。电 化学自组装方法具有沉积速率高、操作温度低、可以在复杂衬底表面生长材料， 成本低和环境友好等优点，而在材料合成领域受到广泛重视。 本论文针对目前ZnO材料研究领域的热点和难点，利用电化学自组装的方 法在ZnO材料制各和光电器件性质研究方面开展了一系列的工作： 详细研究了电化学自组装制各高质量的ZnO薄膜和纳米粒子的过程和得到 的样品的结构和光学性质。 首次提出将表面活性剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)加入到电化学沉积溶液中， 利用电化学方法控制ZnO的成核，利用PVP控制ZnO晶体的生长，获得分散的， 具有高度c一轴取向的ZnO六角纳米柱。其两个自然形成的相对的端面可以作为 受激发射的天然的谐振腔，这对于实现ZnO基紫外激光具有重要意义。 利用电化学自组装法将ZnO纳米粒子沉积到具有不同孔隙率的多孔硅模板 上。纳米粒子与介孔固体的复合体系是纳米科学中引人注目的前沿领域。ZnO的 介入钝化多孔硅表面，调制复合体系的发光，而且电学性质的研究表明ZnO／多 孔硅复合体系的整流特性明显提高。 利用电化学沉积的方法在ITO衬底上分别沉积ZnO和Cu20薄膜，构成 CuzO／ZnO P一聆异质结。该异质结有明显的结特性，利用能带图，研究了该异质 的载流子传输特性。 关键词：氧化锌，纳米柱，电化学自组装，纳米材料复合，P．n异质结。 型茎壁堡主笙壅 皇垡堂宴塑茎垒星墨些塑墨基重鱼堕塑翌堂皇矍堡塑塑壅 Abstract at eV room isa semiconductorf3．37 the ZnO wide temperaturel谢th band—gap of60meV．Thismaterialhasattractedextensiveinterest energy hi曲excitonbinding fieldofelectricaland devicesbecauseofits inthe optical multi-functionality． isa Electrochemical andconvenient been assembly method，has simple extensively usedinthe of differentofmaterials．Ithas several synthesismany types advantages aslow such film rates，controllable processing deposition temperature，higher