硅基扩镓溅galt;,2gt;olt;,3gt;反应自组装和热壁化学气相沉积制备gan薄膜的研究.pdfVIP

摘要 硅基扩镓溅射Ga：0，反应自组装和热壁化学气相沉积制备 GaN薄膜的研究 摘要 GaN是一种十分优异的宽带隙III-V族化合物半导体材料，是当前世界上最先 进的半导体材料之一。室温下，GaN的禁带宽度为3．4cV，是制作光电子器件，尤 作高温、高频、大功率器件的理想材料。进入90年代之后，随着材料生长和器件 工艺水平的不断发展和完善，一些突破性技术的实现使GaN材料的研究空前活跃， GaN已经成为世界各国争相研究的热点。目前，金属有机气相沉积(MOCVD)、 工艺，其中MOCvD使用的最为广泛。采用上述方法制备GaN，工艺复杂，设备 昂贵，限制了GaN材料的制各、生产和应用。现在，国际上有许多科研机构正在 探索新的工艺方法，试图在合适的衬底上制备高质量的GaN薄膜。 然后 本文首先采用自己研制的热壁化学气相沉积工艺制备si基GaN薄膜。 在扩镓si基上采用两步生长模式制备高质量的GaN薄膜，扩Ga的si衬底可以降 低GaN与si衬底之间的晶格失配，减小GaN薄膜在衬底界面上产生的位错和缺陷， 而且衬底表面的Ga有助于GaN在衬底表面结晶成核和GaN薄膜的后序生长。 第一章介绍了GaN薄膜的主要应用、基本性质、制备方法，GaN薄膜的研究 进展和研究课题选取。 第二章介绍了制备GaN薄膜所需的实验设备和测试手段。第一节介绍了实验 系统，包括氧化系统，扩散系统和射频磁控溅射系统。第二节介绍了常用测试方法， 即薄膜的结构特性用DMAx．rA型x射线衍射仪测试，薄膜的组分分析采用 920型荧光光谱仪来测量。 观察，薄膜的发光特性采用FLs 摘要 第三章介绍采用热壁化学气相沉积工艺在Si基上制各GaN薄膜。研究了生长 时间、不同反应气体和生长温度对薄膜特性的影响。 第一节介绍高温氨化Ga203粉末可合成GaN粉末。当镓源的温度为850℃时， 可以得到结晶好、纯度高、六方纤锌矿结构的GaN晶粒。 第二、三、四节介绍利用高温氨化Ga203粉末可合成GaN粉末的机理，在硅 衬底上采用热壁化学气相沉积工艺制备GaN薄膜。结果表明：单纯以NH3为反应 气体，样品表面出现了由GaN小晶粒组成的微晶体，很难得到致密的GaN薄膜。 但在NH3中加入少许H2对于提高薄膜结晶质量和表面形貌有很大作用。同时温度 在生长GaN薄膜方面起着非常关键的作用，沉积GaN薄膜较适宜的温度为1050 ℃。 第四章介绍采用两步生长模式制备GaN薄膜。主要研究了预沉积和再分布Si 基，扩镓时间，氮化温度和氮化时间对GaN薄膜结构和表面形貌的影响，并找出 用此方法制备GaN薄膜的最佳生长参数。同时讨论了扩镓时间对G斟薄膜发光特 性的影响。 第一节叙述了扩镓硅基和GaN薄膜的制备过程。扩镓硅基的制备包括两个基 本过程：(1)si基的氧化，(2)si基的预沉积和再分布。利用两步生长模式生长 GaN薄膜，第一步，用射频磁控溅射在扩镓si基上溅射Ga203薄膜。第二步，在 电炉中氮化Ga203薄膜反应自组装G拼薄膜。 第二节介绍在预沉积30、40IIlin和分别再分布2h的Si基上生长G{IN薄膜， 采用FTIR、Ⅺ①、SEM、SAED对薄膜进行组成、结构和表面形貌分析，结果表 明预沉积的扩镓硅基较再分布的扩镓硅基更适合GaN薄膜的生长。 第三节叙述了扩镓时间对GaN薄膜结构、表面形貌和发光特性的影响。硅衬 底镓浓度随扩镓时间的增加而增加。在相同的氮化温度和时间下，随着扩镓时间的 增加，薄膜的晶体质量和发光特性得到明显提高。但当扩镓时间进一步增加时，薄 膜的晶体质量和发光特性却有所降低。较适宜的扩镓时间为40min。 第四节主要介绍生长参数：氮化温度和氮化时间对0aN薄膜特性的影响。结 果表明氮化温度和氮化时间对薄膜的晶体质量和表面形貌有很大影响，制备GaN 摘要 薄膜的最佳氮化温度和氮化时间分别为900℃和15mm。 第五章对一维纳米结构进行了简单介绍。 第一节介绍采