硅斜切衬底锗硅纳米线的生长及特性研究.pdfVIP

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2015-10-26 发布于贵州
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硅斜切衬底锗硅纳米线的生长及特性研究

§3.4 淀积厚度和温度对 G eSi 纳米线的影响 21 §3.5 8。斜切衬底上形成 G eSi 纳米线的原因 23 第四章硅斜切衬底上多层锗桂纳米线的生长及特性研究 24 §4.1 生长过程及形貌分析 24 §4 .1.1 生长过程介绍 24 §4 .1.2 生长形貌分析 24 §4.2 硅斜切衬底上生长多层锗硅纳米线的 PL 谱分析 26 §4.2.1 P L 谱峰位分析 26 §4.2.2 Pow er-PL 谱分析 27 §4.2.3 Tem p erature-PL 谱分析 28 §4.3 硅斜切衬底上生长多层锗硅纳米线的 R am an 谱分析 29 §4.3.1 R am an 谱峰位分析 29 §4.3.2 R am an i普组分及应力分析 30 §4 .4 .锗硅纳米线空穴态能级及跃迁的理论计算 3 1 第五章总结与展望  34 参考文献  3 5 发表文章 38 会议文章 38 龍  3 9 7 硕士论文粪年摘要本文研究了在 S i (00 1) 朝向 110偏 8°的衬底上淀积G e 自组装得到了密排的 G eSi纳米线，纳米线均沿斜切方向。这些纳米线的高宽比较小暗示了纳米线的部分边界由{105}面构成。相对于大的谷仓形的岛，生长条件和衬底的斜切角度对于这些自组装的细小纳米线有着明显的影响。这些结果表明纳米线的形成是由生长动力学协助下的能量驱动的。由Si间隔层隔开的多层G eSi纳米线在Si(OO l)朝向 110偏8°的衬底上形成，这些细小的纳米线在斜切表面紧密排列。我们对这些G eSi纳米线的光致发光 P（L ) 谱进行了系统研宄。随着激发功率的增加，我们可以观察到P L 强度与功率的非线性关系，7 m eV /decade的G