硅衬底与碳氮、铒原子反应生成的超薄膜的表面结构研究.pdf

摘要 稹旦火擎 博士论文 摘要 硅衬底与碳、氮、铒原子反应生成的超薄膜的表面结构研究 物理系 凝聚态物理专业 研究方向：半导体表面界面物理 学生姓名 杨建树 导师 王迅院士 本论文是关于硅基底上形成的曼查丝丝硅墅卷岛，、塑佳硅薄膜和铒硅化食 、物表面结构的研究，主要包括以下四个方面的工作： 一、硅基底上自组织生长碳化硅纳米岛及表面结构特征： ， 碳化硅岛，并不是每一个岛顶面都能够观察到有序的周期结构，其中晶态纳米 面结构，而是平台宽度不一的台阶。通过对单原子台阶高度的测量，进～步证 明表面出现的是D相的晶态碳化硅岛。这一结果改变了以前普遍认为的以这种方 1 式生长在si(1 11)之间的界面结构无序的结果一致。 界面清晰有序，而与si(1 J．Yangs“曲cPPhysicsLab(NationalKe)，Lab) 摘要 援g盖擎 博士论文 二、 x SiC／Si(111)表面(2√3 2√3)R30。再构的匾王缝趁； 再构的原子结构，我413矛t3用STM详细研究了不同样品偏压下图像的变化，观察 “demisemi 三、si(111)表面氮化和SFSiN；／si窆星缝捡的生长j ／ 临硅衬底上氮化硅薄膜的生长，是利用高温下清洁si样品暴露在含氮气氛 ＼ 中形成的。通过系统的实验研究，我们发现在Si(001)表面不能形成任何晶态的 氮化膜，但在适当的实验条件下，Si(111)表面可以形成有适当氮／硅配比的p相 指的是一定的氮化温度和氮化气体的纯度。当氮化温度较低或氮化气体不够纯 时，Si(111)表面形成的氮化膜呈现“8／3x8／3”的近周期结构。 11)表面的氮化 (1)Si(1 NH，在室温或更低的温度下就可以和硅发生化学反应，这样的反应容易发 生在si(111)表面中心顶戴原子处，表面的角洞和角洞周围的六个顶戴原子没有 发生变化。将样品在600。C退火或者在此温度下使样品直接氮化，表面出现三 类局域结构。一类是没有确定边界形状的二维硅岛，硅岛上呈现(5x5)、(7x7) 和(9x9)再构。一类是同样没有确定边界形状的二维氮化膜岛，岛上是 “8／3x8／3”的近周期结构。第三类是位于前面两类二维岛之间的无序结构。进 一步高温退火(低于800。C)或者高温下对样品直接氮化后，表面出现的是三 角形状或多边形状的二维硅岛，岛上普遍是(7x7)表面再构，这些岛之外是氮化 膜“8／3x8／3”的近周期结构。 J．YangSurfacePhysicsLab(NationalKeyL口¨ 摘要 顿g史孥 博士论文 在样品氮化、或氮化后退火温度高于800。C时，氮化膜表面出现一种完全 不同的结构形态。LEED衍射斑点显示较为均匀的“8x8”图样，STM观察到 3．07 nlTl的周期结构，最小的台阶高度为O．29姗，台阶上、下具有相同的结构 和结构取向。根据晶态0【相、p相和“立方Spinel相”si，N。的晶体结构、对称性 与我们实验结果的比较和分析，确认氮化膜表面3．07nm的周期结构是D． 底Si(111)之间的结构取向关系。 在Si表面氮化膜的生长是一个自限制的生长过程，清洁si样品在氮化初 期，表面氮化膜的生长速度比较快。随着氮化膜的形成和进一步生长，氮化效 率降低，并最终达到饱和。对样品氮化达到饱和后，表面形成的氮化膜厚度的 估计，各个研究小组的报道有所不同，其他研究小组的报道中最厚的氮化膜估 计为4脚，在我们的实验中，利用STM和TEM确认为2nlTl。Si表面的氮化 效率和氮化气体的纯度有很大关系。在不是很纯的含氮气体(Nt-I，或NO)中氮 化，只形成单原子层的氮化膜，表面出现的是“8／