碲锌镉单晶的生长及其性能测定.pdfVIP

碲锌镉单晶体的生长及其性能测定 凝聚态物理专业 研究生：高德友 指导教师：赵北君教授 碲锌镉(Cd】。Zn。Te，简写CZT)单晶体是一种性能优异的三元化合 物半导体室温核辐射搽测器材料，具有闪锌矿型的面心立方结构。CZT具 有较低的暗电流(较低的噪声)、较高的电阻、较好的热稳定性、较大的迁 移率寿命积和较大的带宽、较高的探测分辨率等诸多优异的性能。用单晶 CZT制成的探测器可在室温下工作，工作温度范围宽(．20。c～40。C)，能 量探测范围宽(10KeV～6MeV)，对X射线、7射线能量分辨率商，在X 射线、Y射线成像、天体物理研究、工业探测、安全检测、核辐射探测、 核废料监控、x射线荧光分析(xI强)、x射线断层扫描和核医学等方面有 重要用途。但是，生长技术和器件工艺上的～系列困难制约着CZT单晶体 的广泛应用。 本文在分析了各种不同的生长方法优缺点的基础上，选择了较适宜的 B—S生长方法，采用富Cd补偿的办法控制Cd的分压，并将退火工艺有 机结合在生长过程中，可稳定地生长出较大体积(中20×(40～50)mm)、 艺较成熟。实验证明，生长速度O．4～O．5mm／h、温度梯度8～12C／era、Cd 富余量4～6‰是较佳的生长工艺和条件。 采用解理实验、x射线衍射、电学性能测试、红外透过谱测试、可见 光吸收谱测试、SEM蚀坑分析、探测器的试制等分析测试方法，并首次采 用正电子湮没寿命谱分析方法来研究CZT单晶体的空位缺陷，综合表征了 所生长的晶体的质量和性能。在改变E。腐蚀液的配方的基础上，研制了 新的腐蚀液，可方便、快速、有效的显示CZT不同晶面的缺陷蚀坑形貌； 研究了利用激光正反射法和自然解理的不同(110)面之间的关系，方便、 快速、准确的进行定向切割晶体的方法：采用生长的CZT单晶体自然解理 的(110)面，经过表面处理，试制了探测器元件，对241Am有较强的响应。 本文研究为国家自然科学基金“碲锌镉单晶体的生长与应用基础研究” (批准号课题的部分内容。 关键词：化合物半导体碲锌镉(CZT)单晶生长性能表征探测器 of andCharacterization Growth xTe Cdl．。Zn Crystals Single state physics Specialty：condensed Tutor：Zhao Postgraduate：GaoDeyou BeUun is ofthethree CadmiumZincTelluride or one fedl，xZnxTe crystal CZT)single for materialswitll used element semiconductor compound greatperformances of