碳同素异构微观结构的正电子研究.pdfVIP

碳同素异构体微观结构的正电子研究 摘要 本文采用正电子湮没技术研究了石墨、纳米碳、金刚石薄膜、C60 薄膜四种碳材料的微观结构。结果如下： 1、石墨和纳米碳的电子动量分布和微观缺陷 (1)石墨晶体中的自由电子动量分布表现出显著的各向异性， 数与cos：0呈线性关系；而纳米碳中自由电子动量的分布不存在明显 的规律性。 (2)当温度从25K升至295K时，石墨和纳米碳中缺陷开空间 增大，平均自由电子密度降低；纳米碳中自由电子密度与温度变化成 线性关系。 (3)纳米碳表面层具有活性，可吸附微小杂质氢，导致S参数 下降；纳米碳基体内部离表面越远处，吸附杂质氢的量越少。 2、未掺杂、掺硼及掺硫金刚石薄膜退火前后的缺陷变化 (1)未掺杂金刚石薄膜在600。C以下退火，空位回复；而9000C 以上退火会使空位发生移动合并成大的缺陷，导致缺陷开空间增大。 (2)在400。C以下退火可减小低掺硼金刚石膜中的缺陷浓度；在 6000C以上退火会增加低掺硼金刚石膜的缺陷浓度。 (3)高掺硼金刚石膜表面缺陷较容易回复，经不同温度退火后， 其S参数降低。 (4)掺硫金刚石膜经200至1000。C退火后，样品的S参数保持不变， 表明掺硫金刚石膜结构的热稳定性高。 (5)掺硫金刚石膜中缺陷浓度大于未掺杂金刚石膜，而掺硼金刚 石膜中的缺陷浓度小于未掺杂金刚石膜，掺少量的硼可使金刚石薄膜 中空位浓度减少。 3、不同离子能量沉积的C砷薄膜退火前后样品的缺陷 (1)当沉积离子能量低于200ev时，沉积膜中C60分子有序排列、 仍保持完整的笼状结构。 (2)当沉积离子能量为250ev时，薄膜中C60分子间的结合力增强， 形成了C60分子聚合物。 (3)薄膜的结构取决于沉积离子能量。当沉积离子钱量大于300ev 时，一方面，发生C60分子聚合；另一方面，部分C60分子的笼状结 构被破坏，形成了无定形碳碎片；而且，高能离子对薄膜的轰击作用 加强，致密度加大。薄膜中缺陷开空间大小是这两种因素竞争的结果。 (4)不同离子能量沉积膜经6000C退火1h后，膜中无定形碳成 分转化为石墨微晶体，同时C60聚合物分解成小的聚合物或单个的C60 分子。 关键词：石墨纳米碳金刚石薄膜C60薄膜正电子湮没 电子动量电子密度缺陷 Ⅱ THEMICRoSTRUCTIONSoFALLOTRoPICCARBON MATERIALSSTUDIEDBYPoSITIRoN ANNIHILATION TECHNIQUES ABSTRACT Themicrostructureof carbon as materials，such allotropic graphite， been C，diamondfilms，andC60films，have nanophase investigatedby annihilation resultshave positron techniques．Thefollowingexperimental beenabtained． 1．Microdefectsandthedistributionof in electronmomentum and C g