碲纳米线的输运性能研究.pdfVIP

摘要 碲，是一种重要的半导体材料，其禁带宽度为O．34ev。碲的化 合物纳米材料是非常重要的半导体光电材料，具有很优异的物理和化 学性质，在半导体纳米器件和生物医学领域有广阔的应用前景。本文 选取碲纳米线为研究对象，研究碲纳米线的电输运性能和光电特性。 本文的主要研究工作如下： 1．本文采用水热法合成了具有分散性良好、纯度高、结晶性好 的单根Te纳米线，直径约为80nm．200nm。利用XRD和SEM分 析手段对合成的碲纳米线进行表征，结果表明XRD图显示的最强峰 [101]是碲纳米线的生长方向。 2．采用深紫外曝光接触式光刻技术和金属剥离技术，构筑了基 于单根Te纳米线的“金属／Te纳米线／金属”型半导体纳米器件。 3．在室温下，测试了Te纳米线半导体器件分别在空气和真空中 的电输运性能，结果表明金属电极和碲纳米线具有良好的欧姆接触。 通过分析Te纳米器件的场效应特性曲线，发现漏电流Id。随着栅压 Vg。的下降而减小，表明Te纳米器件是一个典型的P型半导体。实验 还发现，空穴载流子的迁移率达到了750cmZv’IS’1。随着相对湿度的 增加，吸附在碲纳米线的表面的水分子数目增加，因此碲纳米线表面 被水吸附的电子数也会相应增加，引起纳米线的表面电势降低，吸引 更多的空穴到表面层。此种现象也会导致碲纳米线本身的电导增加。 4。在不同波长的光照射下，发现Te纳米线具有负光电导现象。 万方数据 光生电子会吸附在纳米线的表面，并与其内部的空穴载流子复合，导 致碲纳米线内部的空穴载流子浓度降低，故碲纳米线内部的空穴浓度 是影响碲纳米线电导的 未来希望通过测试碲纳米线在真空中的时间响应图，进一步验证 上述碲纳米线的负光电导产生的机理。通过进一步研究可控制备碲纳 理想的模板。 关键词：碲纳米线；场效应晶体管；电输运性能；负光电导；转移特 性曲线 II 万方数据 ABSTRACT Telluriumisan semiconductormaterialanditsband important is0．34eV．The nanomaterialsofTeare gap compound important materialswithexcellentandchemical semiconducting physical properties， whichmakethem candidatesof promising various devicesandbiomedicalfield．Thisthesis optoelectronic choosestellurium nanowiresasthe ectto researchits ofelectrical subj property transport and ectrical researchresultsare optical properties．The listedasfollows： 1．Tellurium nanowireswas metho