碳纳米管场射阴极的制备及优化.pdfVIP

论文摘要 碳缡米营≤eN{萄兹茇凌，弓l超了全毽羚众多辩学家筠广泛关注。辕警具有爨 异的电学、力学饿能，可以猩许多领域得到应用。尤其怒它具有大的长径比，低 的功函数，良好的导电性和纳米级的尖端，使其能够在相对较低的电腰下就能长 时阕遣发射电子，霆_}龟被认为跫一静缆嶷豹场致发羹幸弱缀。碳管已经液鼹于诸妇 挡攒电子显徽镜和透射电子驻微镜等高分辨率电子束器件，并有望戎场致发射平 面照示器中得到广泛的应用。 本文采用低温低压化学气榴沉积(cvD)方法在金鼹衬底上直接生长碳纳米 管瀑貘，并分嚣l逐嗣薄簇帮簿貘工艺，稍捧场发瓣胡极。研究了沉积工艺、蠢楚 理工艺等对碳纳米管薄膜场致电子发射性熊的影响。 本文主要研究结果如下： l丝网窜捌碳缝米管场发射臻投魏璐致瞧子发袈戆§§磺突 1)在一定的生长条件下，沉积60min，在镍片衬底上生长出警径较大、取 向冤序、分布均匀、结构缺陷较多的多壁碳纳米管。运用丝网印刷拽术，制成场 发射阴极。 2)讨论了己炔流量，镍身上下表萄鞫碳管与有瓤浆籽戆浓度毙对碳纳米管 形虢、结构和场发射性能的影响。结果表明，不同条件下制备的碳纳米管阴极场 lg，8柚对，在镍片上表面生长的碳管，场发射性能最好，开启电场为4．19v，m， 在5．88 3)对以上工蕊条l牛的阴极避毒亍后续邋火处理。在畿气气氛，温发3∞℃，黠 射点增多，密度为2×103／cm2，分布比较均匀。经扫描电镜观察，此时碳管的密 度邂中，碳管之间的屏蔽效皮被寅效抑制。因此得出结论：退火处理能改变阴极 轰弦穰簦靛塞发，挺裹爨投熬绥发葑睦裁。 2衬底直接生长碳纳米管场发射阴极的场致电子发射性能研究 1)在一定的生长条件下，沉积5min，在镍片衬底上生长出管径较小、取向 无窿、分布均匀、结梅缺隧较多鲍多壁碳缡浓譬，将覆露碳管鲍镍冀巍接{乍为瑗 发射阴极。 2)讨论了乙炔流量和沉积时间对碳纳米管形貌、结构和场发射J胜能的影响。 结果表骧，不同条件下制备的碳管阴极场发射性能有很大的差异。像特压强(2× 时间为5min时，阴极的场发射性能最好，开启电场为1．23v／um，在2．94v／¨m 的电场下，电流密度为5l“A／cm2，发射点多，密度为104／cm2。 3)黠滥上泼积条终豹璇篱疆投送季亍嚣续运火处理。农氧气气缀，渥废3∞ 发射点增多，密度为2x104，cm2，分布均匀。经扫描电镜观察，碳管镣壁上的缺 陷娥少，在此缺隧密度下，既有足够多的嗽子从管壁上发射，又使咆予之闻的屏 蔽效应不超雩#爱。霞兹褥出绪论：退火矬溅篷改变瓣投表露谈管管蘩主懿簸陷， 提商阴极的场发射性能。 4)等离子体处理会影响碳管阴极的场发射性能。经氩气等离子体处理 5糠鞋，胡掇豹场发麓经襞与未楚蘧靖穗：i交，好予楚理辩溺隽2m沁嚣10推in夔瓣 极。这与其它文献的结果有所不同，等离予体处理改变阴极场发射性能的机理有 待谶一步的研究。 关键词：碳纳米管，化学气相沉积，丝网印刷，场致发射 ABSTRACT of sc呈蕊ists’a鹱entio班． 强eseovery ea南。矬㈣t珏s@Nfs)a搬aelsmany i11 eNTscanbeused dueto“sexcellent of many舭lds propertiesmechanics， hasa ratio，low electrical electrici研CNT8hi蚺aspect work触ctioTl，good elec昀蕺s越low CK嚣主s ∞nduet主v匆an硅nanometer娃巍诚i矗c强emitvoltage+So consideredasa emissioncamodeaIldhasbe蝴usedinelec舾nbeam good矗eld devicesuchasSEMaIldTEM．nisbelicvedmatCNTs埘llhave