ganallt;,2gt;olt;,3gt;衬底上zno纳米棒的水热法生长.pdfVIP

摘 要 ZnO是一种重要的直接宽禁带II–VI族半导体材料，室温下的禁带宽度是3.37eV， 激子束缚能大约是60meV，它在光电器件、化学和生物传感器等方面有很多潜在的 应用价值。制备一维ZnO纳米材料的方法很多，相比于其它制备一维ZnO纳米材料的 方法，水热法具有造价低、设备简单和可以大批量生产的优点。本文以水热法为基 础，在GaN/Al O 衬底上成功制备了直径在30-60nm的ZnO纳米棒，并从其微结构表 2 3 征、生长机理、光致发光性能等方面进行了较多研究。主要研究内容和研究结果如 下： (1) 利用Zn(Ac) .2H O溶液和氨水，用水热法直接在GaN/Al O 衬底上生长ZnO ， 2 2 2 3 结果得到了花状的ZnO结构，并对其水热生长机理做了较为细致研究。扫描电子显微 术(SEM)、x射线衍射(XRD)及其光学光谱（光致光谱和拉曼）等结果显示花状纳米 结构是由纳米棒构成，ZnO是其唯一产物，然而，其单晶取向性较差，带边峰发光峰 强度较弱。 (2) 改进实验条件，用溶胶-凝胶法在GaN/Al O