半导体发光器件--LD和LED.ppt

本文观看结束！！！ 图 3.8 GaAlAs-DH条形激光器的近场和远场图样 5.半导体激光器的分类 (1) 依材料划分。激光二极管主要集中在III-V族 AlGaAs、GaInAsP、InGaAlP、InGaNg以及 II-VI族 ZnSSe、 ZnO等材料上。 研究、 开发、 生产最多的是AlGaAs、 GaInAsP、InGaAlP，InGaN在最近几年非常引人注目。 (2) 依波长划分。半导体激光二极管分为可见光、红外长波长、远红外长波长三大类。红外长波长的激光二极管由 1.3 μm、1.55 μm和 1.48 μm的 GaInAsP激光器，以及 980 nm的 InGaAs 激光器，近红外波长（760~900 nm）的激光二极管由 AlGaAs 激光器，可见光波段中有红色的 AlGaAs 激光器 （760~720 nm） 、 InGaAlP （680~630 nm） 、 蓝绿光的InGaNg（490 ~ 400 nm） 。还有远红外波长 II-VI 族激光器。 (3) 依器件结构划分 (4) 依输出功率划分。激光二极管的输出功率通常为毫瓦量级。经过研究和开发，现在已经有了各种规格的功率输出了。除了常规的小功率（通常为1~10mW）的AlGaAs、InGaAsP、InGaAlP激光二极管之外，大功率（高达1~10W，甚至100W、1000W）以及脉冲功率为万瓦