金属表面半体和半金属薄膜的第一性原理研究.pdf

ii 过渡金属表面半导体和半金属薄膜的第一性原理研究 过第一性原理计算得到Ge在Ru(O001)表面的吸附能随覆盖度的变化，从中发 现(以1×、／21)Rlo．90-3Ge的模型相对来说比较稳定。模拟得到的STM和扫描 隧道谱(STS)图像和实验结果能够很好符合。 的吸附结构及其电子结构变化情况。并四苯具有很高的载流子迁移速率和良好 的发光特性，且具有很高的对称性。对该系统的研究有助于深入认识有机半导 体在金属表面的生长行为和相关电子性质。通过STM实验和DFT计算我们发现 并四苯的长轴沿着平行与垂直Ru(10io)单晶衬底的[12101晶向各有一个稳定吸 附位置，且能量差别很小，分子的吸附位置也不在衬底高对称位置。通过对其 电子结构的分析，对并四苯分子在过渡金属表面的吸附及生长行为有了更深入 的理解。理论计算的结果和实验符合的非常好。 前面两章涉及的都是不同类型的半导体材料，在第五章中我们研究了最近 刚刚发现的一种二维半金属材$斗graphene。物理学家认为，热力学涨落不允许 任何二维晶体在有限温度下存在。所以，它的发现立即震撼了凝聚态物理界，这 一二维结构的存在可能归结于graphene在纳米级别上的微观扭曲。graphene的 电子结构中最有趣的一点是其低能激发态的电子的静质量为零，属