外延单晶四化三铁薄膜的磁输运研究.pdfVIP

摘要 四氧化三铁(Fe。04)具有半金属性，是一种非常重要的3d过渡金属氧化物。在低于 金属绝缘体转变，伴随着电导率两个数量级的变化，使得Fe。0。成为自旋电子学应用 方面很有用的材料。而在氧化镁上外延生长四氧化三铁自然地会出现反相边界(APB)， 这种反相边界引起的自旋散射增强了磁电阻效应，薄膜材料中各项异性磁电阻和面内 Hall效应等方面的高低电阻态在自旋电子学方面的应用(比如MRAM等)具有重要的 意义。 我们在氧化镁单晶衬底上生长制备单晶薄膜四氧化三铁，并利用RHEED、AFM、 XRD、SEM等技术手段证实我们制各界面分明、厚度均匀、表面平整的高质量的外延 单晶薄膜，同时也进行了磁性的测量。 我们利用PPMS对样品测量了在磁场垂直与膜面时的磁电阻率和反常Hall电阻率， 从现象学模型对AMR和PHE的对称性给出分析，对AMR中出现的四度对称性进行了 讨论，并阐明这种现象的物理起源并不是四氧化三铁薄膜中的反相边界引起的，我们 认为是晶体结构自身的四度对称性导致了AMR中出现的四度对称。 关键词： Fe。0。薄膜电阻率各项异性磁电阻面内Hall效应 万方数据