单根一维纳米结器件的构筑及其性质研究.pdfVIP

摘要 摘要 在本篇论文中，主要研究典型的二种一维纳米结构材料的制备、结构表征、 单根一维纳米结构器件的构筑、纳米器件信号的采集和分析并结合理论计算(第 一性原理)，得到了一些有意义的结论。具体分为以下两部分： 1、以二氧化碲(Te02)作为碲源，乙二醇(EG)既作为还原剂又作为溶剂， 十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)作为表面活性剂条件下用溶剂热的方法制各出 了超长、单晶、均匀的碲纳米管；用聚焦离子束沉积(FIB)技术构筑了二电极 和四电极结构的单根碲纳米管器件，测试了单根碲纳米管的电学性质(R．丁和厶y 曲线)，结果表明单根碲纳米管在5．300K温度范围表现为金属特性并且R与丁 呈二次平方关系，单根碲纳米管光导性质测试结果也证明其金属特性，这是由于 在化学制各过程中痕量掺杂导致碲纳米管电子结构的改变。第一性原理理论计算 模拟结果支持了这一观点。在室温下，单根碲纳米管的电阻率为9．854uollIll．m， 并且在5K时的电阻率对室温时的比为0．47。从实验的结果看出，碲纳米管可作 为纳米器件的结构单元，例如可作为连接导线也可作为场发射材料。 2、用硝酸银与葡萄糖原位水热还原反应制备超长的、均匀的、单分散性好的 器件，在物理性质测试系统(PPMs)中采用四电极测试方法测试了单根银纳米 线核在5．76．300K温度范围内的电学性质(R．丁和二y曲线)，结果表明银纳米线 核保持完好晶体结构的金属特征，同时也说明超长包敷结构中的银纳米线核是连 续导电的。在室温下，计算得到的单根银纳米线核的电导率平均值为5．96×105 S／cm，几乎保持了块体银的优良电导性质。单根银纳米线核所能承受的最大电流 值为4ll认，相对应的电流密度为1．3×10‘7 A．cm～。Ag@C纳米电缆与裸露银纳米 线的电学性质和结构相比较有以下两方面优点：(a)Ag@C纳米电缆外层的无定 形绝缘碳层保护了银纳米线核的稳定性，防止其被氧化和腐蚀；(b)银纳米线核 保持了块体银优良的电学性质。实验结果表明Ag@C纳米电缆在未来纳米器件 中充当连接导线具有潜在的优势。进一步，这种核一壳的纳米结构可以延伸到其 它金属纳米结构的制备，例如铜、铝等，这些金属很便宜且在日常生活中已经广 泛的应用。如果把这些金属也制备成核一壳的纳米结构，那么它们的应用将会进 一步的得到加强。 关键词：碲纳米管纳米器件电学性质光导聚焦离子束沉积(FIB)技术Ag@C 纳米电缆 Abstract ABSTRACT Intllis kinds dissertation，t、Ⅳo of帅icalone-dimensional(1 tell嘶umnallonlbesand1Dsilver been and (1D naIlos觚lctlJres)haVepr印ared in characterized ofnaIlodevicesbasedon detajl，respectiVely．ThephysicalpropeIrties nleindiVidual 1D results naIlostmctIJrehaVebeenstudied maill aS-prepared fully．The canbe describedas brieny f．ollows： aIld TenanotIJbe-baSed 1．Ul删ongunif．o肌sin91eCrystalline nanoscaledeVi