通过预共聚原位制备聚合物zno纳米复合材料及其光学性能.pdfVIP

MIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIIl lIMI IIII 摘要 Y2141 371一 摘要 近年来，无机半导体纳米晶／聚合物纳米复合材料由于其独特性能备受人们 关注，已经被广泛应用于化工、生物医药、半导体发光器件等众多领域。利用 聚合物对无机半导体纳米晶进行修饰，制备的无机半导体纳米晶／聚合物复合体 系综合了两种材料各自的优点：既利用了聚合物机械力学性能和化学稳定性好、 可加工性好等特点，又保留了半导体纳米晶的高迁移率和光学特性。 然而，由于大多数无机半导体纳米晶／聚合物复合体系是无机和有机材料共 混而成，因此很容易发生宏观相分离，难以实现无机半导体纳米晶的均匀分散； 且聚合物的引入减弱了无机半导体纳米晶的光学或电学性能，从而削弱了复合 材料的一些特殊性能，限制了复合材料的应用。为了解决这些问题，在无机半 导体纳米晶／聚合物纳米复合材料的制备方法上进行了一系列改进，包括半导体 纳米晶表面直接修饰法、半导体纳米晶引入聚合物胶体、层层组装法、原位生 成法等。在这些方法中，原位生成法是制备具有好的相容性及分散性的半导体 纳米晶／聚合物纳米复合材料最有前景的方法。在原位生成法中，半导体纳米晶 不是预先制备的，而是将金属离子与聚合物溶液混合形成均质溶液，然后通过 化学反应在聚合物基质中原位生成半导体纳米晶，其主要优点在于可以利用聚 合物模板原位控制纳米晶的生长。 因此，本文首先通过甲基丙烯酸锌和聚乙二醇单甲醚甲基丙烯酸酯 (PEGMEMA)自由基共聚将Zn2+预先引入共聚物中，再结合溶胶一凝胶法原位水 解制备了核壳结构的ZnO@PPEGMA纳米晶。共聚物壳层的存在使得制备的 ZnO@PPEGMA纳米晶具有良好的分散性和更小的粒径，使其在紫外区域的吸 收边和荧光发射出现明显的蓝移。ZnO@PPEGMA纳米晶与聚(3．己基噻吩) 容性的提高使P3HT／ZnO@．PPEGMA的荧光发射增强，这表明该体系在光学应用 中有潜在的前景。 其次，本文阐述了一种新型简单的方法原位制备透明的聚甲基丙烯酸甲酯／ 氧化锌(PMMMZnO)纳米复合薄膜。首先通过自由基共聚制备甲基丙烯酸乙酸锌 (ZnMAAc)和甲基丙烯酸甲酯的共聚物。其中，不对称的甲基丙烯酸乙酸锌作为 摘要 Zn0纳米晶的前驱体，由于其分子末端只含一个碳碳双键，可避免交联。再通 过共聚产物的原位热分解得到PMMA／ZnO纳米复合薄膜。扫描电镜图像表明 ZnO纳米晶能均匀地分散在PMMA基体中。随着热分解时间的延长，PMMA／ZnO 纳米复合薄膜的荧光强度和在紫外区域的吸收强度增强。然而，薄膜的光学性 能随热分解温度的升高而减弱。同时，热重分析表明，相比于物理共混法制备 合薄膜呈现更好的热稳定性。 最后，本文通过氮氧稳定自由基聚合(1n偶P)和原位水解制备了稳定交联 纳米复合薄膜。首先，将烷氧基胺附着在降冰片烯衍生物上合成大分子引发剂 P(BN／NCA)．TIPN0。然后通过氮氧稳定自由基聚合引发甲基丙烯酸锌的聚合制 备交联接枝共聚物聚(降冰片烯．2．甲醇丁基醚．CO．降冰片烯-2．甲醛)．g．聚(甲 碳碳双键，制备的交联聚合物使得ZnO纳米晶的前驱体和聚合物之间以共价键 连接，从而导致Zn2+在分子水平上的均匀分散。最后，将聚合物薄膜置于Na0H 水溶液中水解原位生成ZnO纳米晶。实验表明，ZnO纳米晶均匀分散在交联的 聚合物基体中，不产生聚集现象。与物理共混法制备的未交联P(BN／NCA)／ZnO 纳米复合薄膜相比，交联的P(BN／NCA)l／ZnO纳米复合薄膜由于其交联模板的作 用展现出更良好的光学性能及光学稳定性。 关键词：氧化锌；预共聚合；纳米复合；原位合成；荧光 II ABSTRACT ABSTRACT semiconductor are