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金属半导体合纳米材料的制备及表征
金属半导体复合纳米材料的制备及表征 中文摘要
中文摘要
(1)利用保护剂AOT形成反胶束制备cdS纳米粒子,加入适量十二硫醇,利
用静置水洗法沈去保护剂AOT,通过加入无水乙醇改变分散介质的极性实现不同尺
寸CdS纳米粒子的分离,以及研究了不同烷烃溶液对反胶束合成CdS纳米粒子的影
响。结果表明反胶束合成的CdS纳米粒子分布比较均匀;当保护剂AOT洗去后,CdS
纳米粒子的表面缺陷荧光增强;将CdS纳米粒子加热回流后,粒子变大且荧光有所
减弱;通过离心将CdS纳米粒子进行分级,得到的CdS纳米粒子基本能够从大到小
依次分丌;在链长越长的烷烃溶液中,形成的CdS纳米粒子越大。研究了CdS纳米
粒子掺杂5CB液晶盒和纯5CB液晶盒的物理性质和光电特性。
加入适量十二硫醇,利用静置水沈法洗去保护剂AOT,加入无水乙醇改变溶剂的极
性实现不同尺寸纳米粒子的分离。结果表明,小的CdS纳米粒子容易包裹Au,而大
的CdS纳米粒子只能部分包裹或不能包裹;通过离心发现,前三次离心出来的几乎
全是Au@CdS纳米粒子,而第四次离心出来的是未包裹上去的大的CdS纳米粒子,
且发现它们都具有荧光性质。
(3)分别在反胶束溶液和水相中合成CdS/Au复合纳米粒子。在反胶束溶液中
合成的CdS/Au复合纳米粒子大小分布不均匀,经过离心后,纳米粒子能够从大到小
依次分开,当CdS纳米粒子表面沉积Au纳米粒子后,其荧光完全淬灭;在水相中利
用PVP为保护剂合成的CdS/Au复合纳米粒子分布不均匀且粒子大小不等,将CdS/Au
复合纳米粒子80℃下回流3
h后,发现CdS/Au复合纳米粒子较未回流的分布均匀且
粒子大小几乎相等,将回流后的和未回流的CdS/Au复合纳米粒子用0.1m01/L的HCl
溶解后,发现粒子发生了不同程度的聚集,当CdS纳米粒子表面沉积Au纳米粒子后,
其荧光同样也被完全淬灭。
(4)以PVP为保护剂合成了Pt纳米粒子,采用吸氢再还原法,在Pt表面分别
修饰了Au、Ag原子,分别研究了Au、Ag的修饰量对催化活性的影响。结果发现当
表面修饰的Au与纳米Pt物质的量比为O.01时,纳米Pt显示出最高催化活性:当表
面修饰的Ag与纳米Pt物质的量比为O.005时,纳米Pt显示出最高催化活性。
金属半导休复含纳米材料的制备及表征 中文摘要
Pt—Au纳米粒子,Pt-Ag纳米粒子
作 者: 王莹
指导老师: 杜玉扣
金属半导体复合纳米材料的制备及表征 英文摘要
Abstract
surfac跚AOTwere reVerse-micelle
(1)CdSnallopartiCles preparedby
protectedby
method.ThesuIfactamAOTwaSwaushed emhanolofdi仃.erent
awaybywate.r.Byadding
of andtlleCdS of
q啪tity,thepoladt)rdispersedmedi啪w雒regulatednarloparticles
di髓rentsizeswere e仃eCtofCdS iIldi舵rents01Ve鹏
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