钛酸钡基陶与薄膜的制备、微结构和性能研究.pdfVIP

P rep aration , M icrostru ctu re an d P rop erties of B aT i0 3 B ased C era m ic s a n d T h in F ilm B y Y ang R enbo A D isse rta tio n P resented to A cadem ic D egree C om m ittee to T ianjin N orm al U n iversity In C an didacy for T he D egree of M aster of E ng in eering Sup erv isor :Prof. D eng X iangyun C ollege of P hy sics and E lectron ic Inform ation S cience T ianjin N orm al U n iversity M a rch 2 0 12 中 文 摘 要 摘 要 本文首先利用 sol-gel 法制备 了一系列 (l-x)[B aT i。.8Zra20 3]-x [B aa7C ao.3T i0 3] (简称 B ZT-B CT ) 纳米粉体 ，分别采用两段式无压烧结法和传统两步烧结法制备 了一系列 B ZT-B C T 陶瓷 ；其次 ，利用 sol-gel法分别在 Si和 T i两种不 同基底上制 备 了钛酸钡纳米 薄膜 。论文 系 统研 究 了钛酸钡基 陶瓷 与薄膜 的制 备 工 艺 、微 结构 和 电学性 能 ，在 实验 基础上对 B ZT-B C T 陶瓷 的 电学性 能进行分 析 。 通过 X 射线衍射对 B ZT-B C T 陶瓷相 结构分析表 明：在较低烧 结温 区 内制备 的陶瓷具有典型的钙钛矿结构 ，说 明sol-gel法制备 的陶瓷所需烧结温度较 固相反 应 法低 ；随着 x 值 的增大 ，陶瓷 中 Z r 含 量减 小 ，导致 晶面 间距减 小 ，从而使衍射 峰有 向大 角度 方 向移 动 的趋 势 ；对 x 0.3 组分 陶瓷 X R D 步进慢 扫 描发现 ，在 45 度 和 65 度 附近 的衍射 峰劈 裂 非 常 明显 ，说 明在 室温 下主 要 是 以 四方相 形 式存 在 。 对 B ZT-B C T 粉体和 陶瓷 的 SE M 测试 结果分析发现 ，粉体所 需煅烧 温度 随着 x 的增加会 稍有下 降 ；两段 式 无压烧 结法制备 的陶瓷致 密度 高 ， 晶粒尺 寸小 ；利 用 两段 式无压烧 结法在温度 大 于 1350 °C 以后 ，陶瓷 晶粒 尺寸迅速 明显增 大 。 陶瓷 电学性测试 表 明，在 接 近 准 同型相 界 附近 的 x 0.3 组分 ，陶瓷拥 有 最 佳 的铁 电和压 电性能，压 电系数 d33值达到最大值 530 pm /V ; 而在准 同型相界附近 的组 分 ，也 具有相对 较 高 的压 电系数 ，远 离相 界 的其他 组 分相对 较 低 ，从 而验 证 了准 同型相 界理论 。随着 电场 的增 加 ，陶瓷 的能量 损 耗 密度呈现 近 似 线 性 的增 加 ； 随着 温度 的升 高 ，能量损 耗 密度 W 的变化 先近似 线性减 小 ，而后趋 于稳 定 。介 电 常数最 大值 可达 到 24600 ; 在 低 频 时 ，常温 下 的介 电损 耗 在 0.03 以下 ；介 电弥散 性相变指数 y 随着频率 的增大而增大，从 1 H z 的 1.64 逐渐增大到 100 kH z 的 1.80 。 纳米 晶钛酸钡 陶瓷 的 电学性 能分析表 明