GaN基发光二极管衬底材料及研究进展.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．6(2014)068103 GaN基发光二极管衬底材料的研究进展术 陈伟超 )2) 唐慧丽 )十 罗平 ) 麻尉蔚 ) 徐晓东 ) 钱小波 ) 姜大朋 ) 吴锋 ) 王静雅 ) 徐军 ){ 1)(中国科学院上海硅酸盐研究所，上海 201800) 2)(中国科学院大学，北京 100049) (2013年 11月 1日收到；2013年12月 17日收到修改稿 ) GaN基发光二极管 (LED)作为第三代照明器件在近年来发展迅猛．衬底材料作为LED制造的基础，对 器件制备与应用具有极其重要的影响．本文分析综述了衬底材料影响LED器件设计与制造的关键特性 (晶格 结构、热胀系数、热导率、光学透过率、导电性)，对比了几种常见衬底材料 (蓝宝石、碳化硅、单晶硅、氮化镓、氧 化镓)在高质量外延层生长、高性能器件设计和衬底材料制备方面的研究进展，并对几种材料的发展前景做出 了展望． 关键词：发光二极管，氧化镓，蓝宝石，碳化硅 PACS：81．15．一Z，68．60．一P，71．55．Eq DOI：10．7498／aps．63．068103 一 过程也使得LED的优势越发明显．LED具备发 1 引 言 光效率高、响应时间短、光谱可调范围大、寿命长、 材料无污染等诸多优势，使得其成为代替现有照明 自从 1993年InGaN蓝光发光二极管 (LED) 器件 的最佳选择 [2--4】．世界各国都在大力支持与 投入市场以来，LED发光效率实现了质的飞跃．以 推广高亮度LED的研发和应用．目前LED已经被 GaN为代表的III族氮化物半导体材料成为固态照 广泛应用于室 内照明、交通信号灯、汽车灯具、全彩 明领域最具前景的材料，为高效率LED白光照明 色显示器等诸多领域 5【]．其市场在全球范围内不断 的商业化发展提供了可能．随后，1996年GaN基 白 扩大． 光LED入驻照明市场，成功实现商业化，奠定了以 经历了飞速的发展，目前商用LED性能已经 蓝光芯片激发黄色荧光粉的白光照明方案．之后， 白光LED以这一方案为基础得到了飞速发展． 达到额定功率1W下197Im／W的高效率输出 在照明器件的发展历史上，白光LED的发展 然而与LED理论光效值 f260—300Im／W)仍然存 在很大差距．并且在高功率、高亮度应用领域，其 速度是史无前例的．以发光效率为例，LED在近20 年得到了迅猛发展．图1【J展示 了几种主要照明器 性价 比不如荧光灯、钠灯等传统器件 ．为了进一步 件发光效率的发展历史，可以直观地看出其性能提 拓宽LED的应用领域，需要研制功率更高、效率更 升速度之快．直到 目前，LED仍然 以Haitz定律所 高、成本更低的LED．而LED器件制造是涉及多种 描述的速度发展一 亮度约每18—24个月可提升 1 材料制造技术的复杂过程．研发核心材料的制备技 倍，价格每 10年为原来的1／10． 术具有重要意义． 随着LED输出功率的不断提高，高亮度LED