铸造多晶硅晶界电学特性的EBIC的分析.pdf

摘要 八十年代中期发展起来的铸造多晶硅材料(castingmulticrystallinesilicon，简称mc-si)， 是目前最广泛使用的太阳电池材料。但是与直拉单晶硅太阳电池相比，mc—Si太阳电池的转 换效率耍低1．5-2％，其中高密度的结构缺陷(晶界、位错等)和高浓度的过渡族金属杂质沾 污，是影响mc—Si太阳电池转换效率的重要因素。了解mc．Si材料中上述缺陷和杂质的性质， 以便在生产工艺中采用合适的吸杂和钝化T艺，提高mc-Si材料的性能。另一方面，在mc-Si 材料中，金属杂质与晶界相互作用的规律，到目前为止．国际上还缺少系统的理论研究。 本文利用EBlC(Electron-beam．inducedculTent，电子束诱生电流)技术，并结合EBSD back-scattered electron (Electron microscope，透射电镜)，SPV(Surface 的结构类型和电学复台特性进行了系统的研究。主要包括以下三方面内容：原生mc．Si中晶 界的结构类型和复合特性；不同金属杂质(Fe，Cu和Ni)沾污对各类晶界复合特性的影响； H对不同沾污程度的mc．Si的钝化效果对比。取得如下主要创新结果： 在原生me．Si材料中，凝固位置对mc-Si材料的少数载流子扩散长度和晶界复合强度有 着明显的影响，SPV分析显示晶锭中部的少数载流子扩散长度远远高丁顶部(最后凝固位置) 和底部(最先凝周位置)的，这一现象主要是由于金属杂质Fe在晶锭不同凝固位置的浓度差 异所导致的。EBSD分析mc．Si中晶界类型发现，mc．Si中90％以上的晶界是大角度晶界。 其他∑晶界。我们系统地研究了原生mc．Si中不同类型的晶界的电学复合特性，EBIC研 究发现，在未引入金属杂质沾污条件下，所有类型的晶界在室温300K下没有电学活性：在 100 K下，大角度晶界的复合能力仍较弱，而小角度晶界上呈现强复合特性。小角度晶界的 这种强复合特性可能是由于其特殊的晶界位错结构所导致的。 本文系统地研究了金属杂质Fe对mc．Si中不同类型晶界复合特性的影响作用。EBIC 研究发现，各类晶界在室温复合强度上呈现明显的强弱关系：SAR高z低∑晶界。晶 界的EBIC衬度随着Fe沾污程度的增强而增强。值得指出的是，与大角度晶界相比，在微 弱金属杂质沾污条件下，小角度品界在室温300K下的复合强度就会人人增强．我们认为小 角度晶界是mc-Si中潜在的强复台中心。小角度晶界对金属杂质的极度敏感性，使其很有可 能成为影响me—Si太阡1电池性能的致命性电活性缺陷。研究还发现不同晶面指数的∑3对于 金属杂质Fe的吸杂能力也不相同，∑3f111}的吸杂能力最弱。考察其他金属杂质(Cu和Ni) 对于1)1c．Si中晶界复合特性的影响发现，在低温300—400。C引入cu和Ni沾污，都会明显 提高晶界的复合强度。而在相同的温度引入Fe沾污的样品，晶界的复合强度很弱。Cu，Ni 和Fe对晶界复合强度的影响强弱关系如下：FeNiCu。 此外，利用EBIC技术并结合EBSD技术，考察了mc。Si中品界类型和金属杂质Fe沾 污程度对晶界H等离子体钝化效果的影响。比较H钝化前后的晶界EBIC衬度发现，在微 弱沾污的样品中，晶界在100K下的EBIC衬度经过H钝化后有明显的降低。∑晶界的EBIC 衬度降低约为75％-80％，SA和R降低约为35％-40％，说明H钝化的效果可能同时受到晶 界类型和金属杂质的影响。在严重沾污的样品中，晶界在300和100KF的EBIC衬度都有 所将低。晶界EBIC衬度降低的最大幅度不超过40％，并且降低幅度与晶界类型无关，H钝 化效果主要取决于金属沾污程度。 Abstract themost usedmaterialforso]atcells．The Multicrystallinesilicon(mc-Si)is widely highest ofmc-Sisolarcellis 14％一1 thatof about 5％．whichis 1．5-