碳化硅薄膜的外延生长、结构表征石墨烯的制备.pdf

摘要 摘要 SiC作为第三代宽带隙半导体材料，具有许多优异特性，在半导体器件中有 着广泛的应用。石墨烯作为一种新型的二维碳元素新材料，具有一系列优良的电 学特性，例如反常的量子霍尔效应和高载流子迁移率等。这些优异性质使其成为 和SiC单晶衬底上外延生长SiC薄膜及其同质异构量子阱结构。利用MBE设备， 采用高温热退火并辅助Si束流的方法，在SiC表面外延生长石墨烯。利用同步 辐射以及一些常规的分析测试方法对外延生长的SiC薄膜和石墨烯进行研究。主 要的研究工作及结果如下： l Si衬底上3C．SiC薄膜的外延生长 在Si衬底表面异质外延生长出高质量的3C．SiC薄膜，系统研究了碳化、衬 底温度、Si／C束流比和预沉积Ge对Si衬底外延SiC薄膜的影响，并得到了相应 的优化参数。 1)衬底Si表面的碳化调节了薄膜和衬底之间的晶格失配，缓冲了应力，从 而提高了薄膜的质量。在Si表面碳化研究中，探索到了最佳的碳化温度。 ’2)薄膜的结晶质量在衬底温度为1000℃时最好。对于高温生长的样品，SiC 薄膜和Si衬底间大的热膨胀系数失配造成界面更多的位错，导致结晶质量降低； 对于低温生长的样品，衬底温度不高，原子的活性比较低，原子不能扩散到薄膜 生长的能量最佳位置，因而导致低温生长的样品结晶质量下降。 1)和高的Si／C比(2．3：1)条件生长的薄膜的质量较差。可以通过控制S“C来抑 制或减少孔洞的形成，改善生长的SiC薄膜的质量 4)预沉积Ge可以提高薄膜的质量，且存在一个最佳的预沉积厚度(0．2I皿) 晶格失配，缓冲薄膜内的应力，从而提高薄膜的质量。 2A1203衬底上6H。SiC薄膜的外延生长 摘要 X射线①扫描显示出薄膜的六次对称衍射峰，表明生长的SiC薄膜接近单晶水 平。 2)在优化的衬底温度下(1100℃)生长的薄膜质量较好，在较低温度(1000 ℃)和较高温度(1200℃)条件下生长的薄膜质量较差。 到压应变，它来源于界面处SiC薄膜和蓝宝石衬底热膨胀系数的失配。薄膜 远离界面后，压应变减小，单晶质量变好。GID和XRD的研究表明，薄膜内 存在倾斜(tilt)和扭转(twist)畸变，且扭转大于倾斜。 3 6H．SiC表面的同质外延及量子阱结构的制备 j 度的升高，SiC表面的Si原子反蒸发，表面的Si原子减少并先后出现3×3和 √3×√3重构。 2)利用不同重构表面的迁移系数的差异，调节Si束流，在衬底温度1080 和6H．SiC晶型薄膜的外延生长。 外延生长，并发现该量子阱结构的宽发光带。经计算，宽发光带可能来源于不同 宽度的量子阱的发光。 4 6H．SiC表面石墨烯的外延生长 1)利用超高真空MBE系统，通过高温退火并辅助Si束流的方法，在6H—SiC (0001)表面成功制备出多层石墨烯。 间的增加，石墨烯厚度增加，样品表面孔洞减少。薄膜内存在压应力，它来源于 石墨烯和SiC衬底的热膨胀系数的差异。石墨烯层数越多，应力也越小。 关键词：固源分子束外延硅衬底蓝宝石衬底碳化硅薄膜石墨烯X射线掠 入射 II AbsC吼ct ABSTRACT Asawide．b觚dsemiconductormaterial gap witllexcelIent haS properties，SiC inthefieldofthe m钌ly印pIications semiconductor of of carbonatoms intoa monolayer two．dimensional