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半导体的欧姆接触 (2012-03-30 15:06:47)转载▼ 标签： 杂谈 分类： 补充大脑 1、欧姆接触 　　欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。 　　从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属、半导体的功函数和半导体的表面态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属－半导体之间接触的影响来看，要形成欧姆接触，对于n型半导体，应该选择功函数小的金属，即满足Wm《Ws，使金属与半导体之间形成n型反阻挡层。而对于p型半导体，应该选择功函数大的金属与半导体形成接触，即满足Wm》Ws，使金属与半导体之间形成p型反阻挡层。但是由于表面态的影响，功函数对欧姆接触形成的影响减弱，对于n型半导体而言，即使Wm《Ws，金属与半导体之间还是不能形成性能良好的欧姆接触。 　　目前，在生产实际中，主要是利用隧道效应原理在半导体上制造欧姆接触。从功函数角度来考虑，金属与半导体要形成欧姆接触时，对于n型半导体，金属功函数要小于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Ti、In。对于p型半导体，金属功函数要大于半导体的功函数，满足此条件的金属材料有Cu、Ag、Pt、Ni。　　 　　　　　　　　 　　2、一些常用物质的的功函数 　　物质 Al Ti Pt In Ni Cu Ag Au 　　功函数 4.3 3.95 5.35 3.7 4.5 4.4 4.4 5.20 　　　　　　　　 　　3、举例 　　n型的GaN—— 先用磁控溅射在表面溅射上Ti/Al/Ti三层金属，然后在卤灯/硅片组成的快速退火装置上进行快速退火：先600摄氏度—后900摄氏度——形成欧姆接触； p型的CdZnTe——磁控溅射仪上用Cu－3％Ag合金靶材在材料表面溅射一层CuAg合金。 欧姆接触[ HYPERLINK /w/index.php?title=%E6%AD%90%E5%A7%86%E6%8E%A5%E8%A7%B8action=editsection=0 \o 编辑首段 编辑]  HYPERLINK /s?q=%E6%AC%A7%E5%A7%86%E6%8E%A5%E8%A7%A6ie=utf-8src=se_lighten_f \t _blank 欧姆接触是 HYPERLINK /wiki/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93 \o 半导体 半导体设备上具有线性并且对称的 HYPERLINK /wiki/%E7%94%B5%E6%B5%81-%E7%94%B5%E5%8E%8B%E7%89%B9%E6%80%A7%E6%9B%B2%E7%BA%BF \o 电流-电压特性曲线 电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做 HYPERLINK /wiki/%E8%82%96%E7%89%B9%E5%9F%BA%E4%BA%8C%E6%9E%81%E7%AE%A1 \o 肖特基二极管 肖特基接触。典型的欧姆接触是 HYPERLINK /wiki/%E6%BA%85%E5%B0%84 \o 溅射 溅镀或者 HYPERLINK /wiki/%E8%92%B8%E5%8F%91 \o 蒸发 蒸镀的金属片，这些金属片通过 HYPERLINK /wiki/%E5%85%89%E5%88%BB \o 光刻 光刻制程布局。低电阻，稳定接触的欧姆接触是影响 HYPERLINK /wiki/%E9%9B%86%E6%88%90%E7%94%B5%E8%B7%AF \o 集成电路 集成电路性能和稳定性的关键因素。它们的制备和描绘是电路制造的主要工作。 目录 ??[ HYPERLINK /wiki/%E6%AD%90%E5%A7%86%E6%8E%A5%E8%A7%B8 隐藏]?  HYPERLINK /wiki/%E6%AD%90%E5%A7%86%E6%8E%A5%E8%A7%B8 \l .E7.90.86.E8.AE.BA 1?理论  HYPERLINK /wiki/%E6%AD%90%E5%A7%86%E6%8E%A5%E8%A7%B8 \l .E5.AF.A6.E9.A9.97.E7.89.B9.E6.80.A7 2?实验特性  HYPERLINK /wiki/%E6%AD%90%E5%A7%86%E6%8E%A5%E8%A7%B8 \l .E6.AC.A7.E5.A7.86.E6.8E.A5.E8.A7.A6.E7.9A.84.E5.88.B6.E5.A4.87 3?欧姆接触的制备  HYPERLINK