纳米硅单晶硅异质二极管.docVIP

纳米硅 / 单晶硅异质结二极管 学号：205090808 姓名：李凌云 摘要：在p 型单晶硅衬底上沉积一层掺磷N +型纳米硅薄膜, 形成nc2 Si∶H/ c-Si构成的N +/ p异质结构。本文综述了纳米硅 / 单晶硅异质结二极管的制备及其优异性能。 关键词：纳米硅/单晶硅，异质结二极管，C-V特性，J-V特性, 反J-V特性 引言 近年来，氢化非晶硅和微晶硅薄膜的研究引起了人们的兴趣。这两种材料在光电集成和微电子领域，如光探测器、太阳能电池、薄膜晶体管等方面有着广泛的应用前景。相对非晶硅薄膜而言，微晶硅具有更高的电导率、掺杂效率、电光稳定性以及更低的光吸收率, 特别是用微晶硅代替非晶硅做太阳能电池的激活层能提高太阳能电池的转换效率和稳定性 , 微晶硅的这些优越性能日益引起了人们的关注。微晶硅薄膜是一个二相混合体系，由硅氢无序网络和镶嵌在其中的硅的微晶粒组成。薄膜中晶态和非晶态的百分比、 微晶粒的大小和间距、原子氢的状态和浓度以及不同类型的掺杂都会影响微晶硅的电光性能，同时也丰富了它的应用范围。本质上，纳米硅薄膜属于微晶硅中的一种，它同样由硅氢网络和硅晶粒组成，也具有微晶硅的上述基本特性，但与通常的微晶硅薄膜相比，纳米硅薄膜中的微晶粒仅为几个纳米，晶粒间距仅为2~4个原子层，即纳米硅薄膜中的微晶粒尺寸更小，排列更紧密。纳米硅薄膜在结构上的特殊性使它的物理性能不仅迥异于单晶硅和非晶硅，而且与通常的微晶硅也有明显的区别。例如纳米硅薄膜具有更高的电导率和更好的温度稳定性，并表现出室温可见发光和低温下的量子共振隧穿等一系列低维特性。近年来我们重点研究了纳米硅薄膜的结构和电学性能，研究结果表明，纳米硅薄膜的电导率主要由微晶粒决定，它的电输运机制属于以量子隧穿为基础的“异质结量子隧穿”模型，这是它具有高电导率以及温度稳定性好的根本原因。基于纳米硅薄膜的这一特性来设计新型功能器件, 如量子功能器件、发光器件、微波器件等, 是人们感兴趣的。本文初步报道对纳米硅/单晶硅异质结二极管的研究结果。 2. 纳米硅/单晶硅异质结二极管的制备 选用约 1 Ω·cm 的p 型c-Si为衬底(N A =2×1016cm - 3)。先使用平面工艺技术在200 nm 厚的SiO2层上刻成系列 100μm×100μm的小窗口,然后在超高真空PECVD薄膜沉积系统中生成大约150 nm厚的掺磷N+型nc-Si∶H 膜。早期的工作证实, 在经过适当的清洁处理后的c-Si衬底片上能直接生长成纳米硅薄膜而不存在非晶过渡层。使用光刻技术腐蚀掉窗口外的膜, 只保留窗口内的nc- Si∶H 膜作为器件工作层。最后蒸Al电极以形成图 1 所示的A l/ nc-Si∶H/c-Si/A l 器件结构。 纳米硅/单晶硅异质结二极管的基本特性 3.1 C-V特性 根据 83ULJKD3 突变结模型，异质结单位面积的电容可表示为 C= 其中q为电子电荷,ε0是真空电容率,εc和εn分别为单晶硅和纳米硅的介电常数，本文中近似认为εc=εn=11.9,ND和 NA分别是施主和受主浓度，VD是扩散势。 图 D 异质结二极管C-2~V特性曲线 正向J-V特性 图3是一个典型二极管在不同温度下的电流电压特性曲线,从图中可以看出，在正向小偏压（ V=0.8v）处， 当温度从230K上升到420K时，电流密度仅上升了1.5个数量级。而对于通常的非晶硅/单晶硅异质结在同样的偏压，当温度从300K上升到380K,电流密度已上升了接近2个数量级或更多.这说明所制备的异质结二极管具有很好的温度稳定性.由图3可知，电流随电压的变化可分成两个不同区域:在低偏压下（ V0.8v），电流随电压指数式上升；在大偏压范围 （V1.0v）J-V特性曲线 反向J-V特性 该二极管显示出较好的整流特性，室温下加减0,8V时整流比为3Χ105,反向饱和电流密度为2Χ10-7A/cm2。图4(a)为二极管反向电流电压关系，反向电流与V0.5呈很好的线性关系，由此可知反向电流主要由空间电荷区中的产生电流决定。图4(b)为V=-0.5v时反向电流与温度的关系,由此可求出产生电流的激活能为0.65Ev,这个值与前面得出的复合电流的激活能符合得很好,这进一步证实了在小的正偏压下二极管电流主要来自纳米硅薄层中载流子的复合程 . 图4（a）二极管的反向电流与电压的关系 图4（b）V=-0.5v时反向电流与温度的关系 结论 纳米硅薄膜是一种新颖的人工功能半导体薄膜, 将它制成异质结二极管更是一新的研究。文中的工作已说明它具有一些优于其它半导体异质结的性能, 无疑这使纳米硅薄膜材料往实用方向迈出了可喜的一步