隧穿场效应晶体管和InGaAs场效应晶体管的可靠性的研究.pdf

摘要 随着MOSFET尺寸的不断缩小，器件的功耗问题和可靠性问题成为制约集 成电路发展的重要因素。为了降低集成电路的功耗，隧穿场效应晶体管(TFET) 的室温亚阈值摆幅可以突破60mV／decade的限制，InGaAs材料的电子迁移率大 约比Si材料的电子迁移率高一个数量级。虽然国际上对TFET和InGaAs MOSFET已经做过很多研究工作，但是对上述器件的可靠性，国际上仍然缺乏 了解。 本论文针对n型TFET和InGaAsMOSFET的正偏压温度不稳定性(Positive Bias Carrier TemperatureInstability或PBTI)和热载流子注入(HotInjection或者 nMOSFET的PBTI退 比较，分析TFET在应力下退化的机理。(2)根据InGaAs 化特性，提出一种陷阱模型，分析关态电流的退化原因。 本论文工作的主要结果有：(1)对nTFET来说，在PBTI和HCI应力下， 器件的退化比传统nMOSFET严重。应力在隧穿结附近产生的界面陷阱和氧化层 电荷能使隧穿电场减小，导致Id的退化。(2)如果nTFET的p+源区与栅电极有 交叠，那么在应力电压作用下，会在隧穿结附件出现一个垂直晃面的电场峰，从 而在隧穿结附近产生更多的界面陷阱和氧化层电荷，使Id的退化加重。(3)n11PET 的HCI退化主要发生在源区附近。(4)对InCraAsnMOSFET来说，在PBTI应 力下，在I。V。特性的亚阈值区，对于相同的Is，AVg是负值。但是在强反型区， △V。是正值。在恢复阶段，在IsV。特性的亚阈值区，△Vg会由负变正；在强反型 区，△V。会继续增大，最后达到一个稳定的值。(5)PBTI应力会在InGaAs 陷阱和不可恢复的受主型陷阱组成。施主型陷阱主要分布于InGaAs禁带中央附 近，它的密度会随能量的升高而减小。受主陷阱主要分布于InCmAs的导带中， nMOSFET的关态电流退化 它的密度随着能量的降低而减小。(6)Ino．65Gao．35As 53Gao47AsnMOSFET严重。 比Ino MOSFET的研究和开发具有重要的 本论文的工作和结果对TFET和InGaAs 指导意义。 复旦大学博士论文 关键词：隧穿场效应晶体管(TFET)，InGaAs场效应晶体管，可靠性，偏压温 度不稳定性(BTI)，热载流子注入效应(HCI)，界面陷阱，氧化层电荷，氧化 层陷阱。 中图分类号：TN306，TN406 m Abstract Wi曲theCMOSdevice and become reliability scalingdown，powerdissipation issueswhichrestrictthe of circuits．Inorderto important developmentintegrated attractedmuch reduce andInGaAsMOSFETshave power dissipafion．TFETs canbreakthe limit attention withSiMOSFET，TFETs