硅基多孔氧化铝薄膜及在光电子集成中的应用.pdfVIP

摘要 (发光多孔硅的发现为长期追求的硅基发光材料研究开辟了新思路。实现硅基 低维结构，利用量子限制效应发光，成为当今研究重点。探索既与硅平面工艺相 兼容，又空间有序、尺寸均匀、可控性好的硅基纳米发光材料尤为重要。，)本论文 探索的途径：首先是利用自组织法，在硅基上制备理想的模板，然后利用物理或 化学方法，在模板内沉积半导体材料硅，期望得到具有发光性能的纳米结构，作 为光电子集成应用器件雏形。 一．将多孔氧化铝结构和技术移植到硅基上。论文介绍了根据I-t曲 r 线实时控制阳极氧化反应的方法，制备硅基多孔氧化铝薄膜。睬用电子束蒸发技 ＼ nln的高纯铝膜， 术，在预先去除表面自然氧化层的清洁硅片上生长一层厚约400 V，恒温0。C 然后利用纵向阳极氧化装置，15研％H：s04作电解液，dc恒压40 条件下对样片进行多孔阳极氧化。实验中实时采集I-t曲线，从而控制阳极氧化反 应在铝膜刚好完全被耗尽时结束。通过扫描电子显微镜(SEM)，透射电子显微镜 径和“晶胞”尺寸均为纳米量级，分别约为17nlTl和50nln；ii孔径均匀；iii孔 局域呈六角对称分布；ivAI，O，／Si界面良好接触，在原子量级。进一步调节阳极氧 化电压和电解液温度实验，发现孔径和“晶胞”尺寸不遵守体材铝条件下的线性 结果，并且随着电解液温度升高，孔的规则度大为降低。分析认为新引入的硅衬 底的分压作用是导致孔径、“晶胞”尺寸一电压线性关系反常的关键因素，而孔 ＼ 的规则度随电解液温度升高降低，主要是来自焦耳热对自组织过程的干扰。) ／ 二．研究了硅基多孔氧化铝膜的结构和基本性质。内容包括：i多孔氧化铝 膜在10 “晶胞”界面网络结构，这很难用传统的“连续介质”模型来解释，因此，论文 、 中提出了一种新结构模型彦ii多孔氧化铝硬膜的Co．D—D(将在第三章详细讨论) 一 ， 解离性质及氧化铝纳米管的制备。trEM首次观测到单根分离的氧化铝纳米管。提 出一种新解离方式Co—D—D方式，其间接呼应了“晶胞”界面结构模型0iii铝膜 J ， 的结晶度对孔有序度的影响。【i_寸论认为晶粒间界区域相比于晶粒内部存在的铝原 j二浓度和阳极氧化反应速度涨落将通过干扰孔底电场分布，对自组织过程产生微 扰，这种微扰具有随机性质彳iv硅基多孔氧化铝膜的荧光发射性质。(光致荧光(PL) 谱测试显示，在近紫外和紫光范围内，有三个特征峰，通过分析它们在不同温度 和气氛下的退火行为以及与相结构的对应关系，认为PL来源于氧(o)不足引起 、 的F+心il ／ _作为一重要的发现，论文还研究了由轻度过度阳极氧化，形成的纳米SiO： 岛列阵。通过原子力显微镜(AFM)对SiO：岛的形貌进行了表征。而重度过度阳 极氧化得到的样品膜，通过俄歇电子能谱(AES)深度分析其多层结构，讨论了 硅基铝膜多孔阳极氧化反应的发展过程。 四．重点介绍了一种新沉积技术，即电子束蒸发结合Xe．离子轰击技术。陋过 曹 这种技术，成功地将硅苎兰!!墨些缉膊用作模板，制备