《InAlAsInGaAsInP HEMT欧姆接触研究》.pdfVIP

第28卷第1期 固体电子学研究与进展 V01．28，No．1 2008年3月 OFSSE Mar．，2008 RESEARCHPROGRESS InAIAs／InGaAs／InPHEMT欧姆接触研究 康耀辉+ 林 罡 李拂晓 (南京电子器件研究所，单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京，210016) 2006—05-IO收稿，2006—08—10收改稿 摘要：应用Au／Ge／Ni系金属在InAlAs／InGaAs／InPHEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和 Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触，在样品上获得了最低9．01×10“n·cm2的比接触电阻，对应的欧姆接触电阻 min250 Q·rllm。同时，在模拟后续工艺环境的20 oC热处理后，器件的欧姆接触性能无显著变化，表明其 为0．029 具有一定的温度稳定性。 关键词：磷化铟；欧姆接触；温度稳定性 中图分类号：TN305．93文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2008)01—145一04 Contactto andFabricationofOhmic Design HEMT InAIAs／InGaAs／InP Fuxiao KANGYaohuiLIN LI Gang Circuitsand (National ofMonolithic Modules， KeyLaboratory Integrated ElectronicDevices Nanjing Institute，Nanjing，210016，CHN) thefabrication ofohmiccontactto Abstract：This technique InAlAs／InGaAs／ paperreports InP the thermal withWNandTi HEMT．By developedrapid annealing(RTA)process using 9Q·mmanda contactre— double minimumcontactresistanceof0．02 specific blockinglayers。a Q·cm2havebeenachievedforInPHEMT．Atthesametime，the sistanceof9．01×10—8 treatment．The ohmicc