密度泛函理论研究BeSin（n=1-12）团簇的结构、稳定性与电子性质（原版论文）.pdfVIP

第 30卷 第 5期 计 算 物 理 Vo1．30．NO．5 2013年 9月 CHINESE JOURNALOFCOMPUTATIONALPHYSICS Sep．，2013 文章编号：1001—246X(2013)05—0766-09 密度泛函理论研究BeSi(／／=1—12)团簇的 结构 、稳定性与电子性质 张 帅 ， 仲志国 ， 包代小 ， 李根全 ， 卢 成 (1．南阳师范学院，物理与电子工程学院，南阳 473061；2．南阳师范学院，分析测试 中心，南阳 473061) 摘 要 ：运用密度泛函理论 (DFT)，考虑多种初始构型下的 自旋多重态 ，在 B3LYP／6—31lG基组水平上研究BeSi (n=1—12)团簇 的平衡几何结构、电子性质、振动光谱与极化率．结果表明：BeSi团簇在基态附近有许多能量非常 接近的同分异构体，且BeSi团簇的基态结构绝大多数为立体结构．n=l时，体系的基态为 自旋三重态，n≥2时， 则为单重态．铍原子 的掺人使得主团簇 的电子性质发生 了明显的变化 ，掺杂使得体系的化学稳定性降低．BeSi， BeSi，BeSi，与 BeSi。是幻数结构．团簇 中原子间的成键相互作用随n的增大而增强． 关键词 ：BeSi团簇 ；几何结构 ；密度泛函理论 ；电子性质 ；振动光谱 中图分类号 ：O641 文献标识码 ：A 0 引言 硅是现代微电子工业中非常重要 的一种元素 ，人们对硅 团簇进行 了大量 的科学研究 ¨I3．由于硅 团 簇中硅原子间的作用倾向于 sp 杂化且其表面富含悬挂键 ，导致纯硅团簇具有较高的反应活性 ，不易形成 稳定性强的纳米构造单元 ．所以，解决硅 团簇 的稳定性成为硅团簇研究中的首要 问题．人们提 出了许 多稳定硅团簇的方法 ，其 中一种就是对纯硅团簇掺杂 ，通过适当地 引入其它原子 ，消除纯硅团簇表面的悬 键 ，起到稳定硅团簇的作用 ，而且其结构和性质与纯硅团簇相 比会有较明显 的变化 ，这一方法得到学界的 广泛重视 ． 近年来碱土金属掺杂团簇 的研究越来越受到人们的重视．Deshpande等人 通过从头算分子动力学 研究了LiBe和 LiMg，发现 Be掺杂团簇与主团簇结构近似 ，而 Mg则存在较大差异．陈玉红等人 采用 密度泛函理论探讨 了MgB团簇 的结构与性质 ．Qian等人 使用从头算 自洽场与密度泛函方法研究了椎 体 MB (M=Be，Mg，Ca，Sr)的芳香性．为进一步寻找硅 的新型化合材料 ，系统地研究碱土金属掺杂硅 团簇就显得十分重要 ，相应的研究报道比较少．Be作为最轻 的碱土金属元素 ，具有重量轻 ，弹性模数高和 热稳定性好等特点，其合金材料广泛应用于电子 、航空领域．此外 Be原子最外层电子排布2s的闭壳层 结构 ，导致它的最低能量结构与其它金属团簇的最低能量结构有很大不同，这些都激起 了人们对碱土金 属铍 团簇的研究兴趣．假如我们在纯硅团簇 中掺入碱土金属铍原子 ，结果又会如何?掺杂后 团簇 的最低 能量结构及其 电子性质随体系尺寸变化都值得关注．本文从第一性原理 出发 ，利用密度泛函理论 (DFT) 对 BeSi(n=1—12)小 团簇进行研究 ，为实验研究提供可靠 的理论依据 ，为碱土金属掺杂半导体材料 的设 计与合成提供理论依据． 1 理论与计算方法 首先在 B3LYP／6—311G水平上获得 si(n=2—13)团簇 的基态结构 ，然后以纯硅团簇作为设计 Be原 子掺杂 si团簇类结构的母体，考虑不同位置上结合 Be原子替代 si原子的结构，以及独立构建BeSi团簇的 几何构型，随后采用密度泛函理论中的杂化密度泛函B3LYP方法 ，在全电子 6—311G基组的水平上对 BeSi 收稿 日期 ：2012—11—08；修 回日期 ：2013—03—20 基金项 目：河南省 自然科学基金 (2011B140015，2010B140012)，河南省高等学校青年骨干教师资助计划 (2012GGJS一152)资助项 目 作者简介 ：张帅 (1978一)，男，硕i，讲师，主要从事团簇电子结构研究，E-mail：cug—zhang@163．com 第 5期 张 帅等 ：密度泛函理论研究 BeSi(n