1700V／100A平面型NPT-IGBT静态特性研究.pdfVIP

第34卷 第1期 固体电子学研究与进展 Vo1．34。No．1 2O14年 2月 RESEARCH PROGRESSOFSSE Feb．。2Ol4 ＼ p 硅微 电子学 k 、 1700V／IO0A平面型 NPT-IGBT静态特性研究 高明超 刘 隽 赵 哿 刘 江 金 锐 于坤山 包海龙。 (国网智能电网研究院电工新材料与微 电子研究所 ，北京，100192) ( 国网上海市 电力公司 ，上海 ，200122) 2013—08—15收稿 改稿 摘要：基于现有工艺平 台设计一款 1700V／100A非穿通型绝缘栅双极 晶体管器件 (Nonpunchthrough1nSU latorgatebipolartransistor，简称 NPT—IGBT)，元胞采用平面型结构 ，元胞注入采用 自对准工艺 ，背发射极采用透 明集 电极技术 ，对其静态特性进行工艺仿真。仿真结果显示 ，调整 P阱注入剂量及 P阱推结时间可 以改变器件的 阈值 电压 ，调整 P阱及背面 P 集 电极注人剂量可以改变器件 的饱和 电压 。将此设计进行流片验证 ，结果显示击穿 电压在 2100V 以上，饱和压降在 2．5～2．7V之间，阈值 电压在 3．9～5．9V之间，实测值和仿真值相差不大，在误 差接受范 围之 内。 关键词 ：绝缘栅双极 晶体管 ；元胞 ；击穿电压 ；阈值 电压 ；饱和压降 中图分类号 ：TN322．8 文献标识码 ：A 文章编号：lOO0—3819(2014)01—0081—05 TheResearchonStaticCharacteristicsofa1700V／100A PlanarNPT-IGBT GAO Mingchao I．IU Jun ZHAO Ge LIU Jiang JIN Rui YU Kunshan BAO Hailong (ElectricalEngineering New MaterialandM icroelectronicsDepartment，StateGridSmart ResearchInstitute，Beijing，100192，CHN) ( GridSmartShanghaiElectricPowerCompany，Shanghai，200122，CHN) Abstract：A 1700V／lOOANonPunchThroughInsulatorGateBipolarTransistor(NPT—IG— BT)basedontheexistingtechnologyplatform wasdesignedbyprocesssimulation，whichhadan internaltransparentcollectorandaplanarcellstructure．Thestaticcharacteristicswerestudied． Thesimulationresultsshowthatthethresholdvoltageofthedevicecanbeadjustedbychanging theinjectiondoseorthedrive—intimeoftheP—wel1．Thesaturationvoltageofthedevicecanbe adjustedbychanginginjectiondoseoftheP—wellortheinternaltransparentcollector．Thisdevice wasfabricatedusingtheselfalignedprocess，andthetestresultsshow thatthebre