0．13μm抗辐射SOICMOS标准单元库建库流程研究与实现.pdfVIP

第34卷 第3期 固体 电子学研究与进展 Vo1．34，No．3 ， 2014年 6月 RESEARCH PROGRESSOFSSE Jun．，2014 硅 微 一电 ～ ～手 ～ ～ ～ 0．13IJLm抗辐射 SO1CMOS标准单元库建库 流程研究与实现 吕灵娟 刘汝萍 林 敏 杨根庆 邹世昌 (中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室 ，上海，200050) (中国科学院大学，北京，100049) 2013—12—09收稿 ，2014—02—19收改稿 摘要 ：基于 0．13“m部分耗尽绝缘体上硅 (SOD互补金属氧化物半导体 (CMOS)工艺线，开发了全套 0．13,／rn 抗辐射 SOICMOS工艺的标准单元库 。针对深亚微米 SOI器件 的辐射效应 ，在 电路设计和版图设计上进行 了加 固，达到了比较好的抗辐射效果。对 SOI标准单元库的建库流程的各方面做了比较深入的介绍，通过 Hspiee仿真 验证单元库 中加 固D触发器 (DFF)抗单粒子效应 的能力并对不 同加 固方式 的性能开销进行 了对 比。利用 已建立 的0．13#rn抗辐射 SOICMOS标准单元库设计了测试芯片 以验证库 的可靠性 。 关键词 ：0．13 m抗辐射绝缘体上硅互补金属氧化物半导体 ；标准单元库 ；建库流程 ；测试芯片 中图分类号 ：TN402：TN432 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000—3819(2O14)03—0273—07 Flow Research andRealization ofRadiationHardened 0．13IJLm SOICM OSStandardCellLibrary LU Lingjuan LIU Ruping LIN Min YANGGenqing ZOU Shichang (TheStateKeyLaboratoryofFunctionalMaterialsforInformatics．ShanghaiInstituteofMicrosystem andInformationTechnology，ChineseAcademyofSciences，Shanghai，200050，CHN) (。UniversityofChineseAcademyofSciences，Beijing，100049，CHN) Abstract：Basedon0．13um partiallydepletedsiliconon insulatorcomplementarymetal—OX— ide—semiconductortransistor(SOICM OS)technology，acompletesetof0．13um radiationhard— enedS0ICM OSstandardcelIlibrarywasdeveloped．Inview oftheradiationeffectofdeepsub— micron SOIdevices，theradiationhardeneddesigniSconductedonthecircuitand1ayoutleveland hasachievedgoodanti—radiation result．In—depth introductionofthelibrarybuilding flow ofthe SOIstandardcellisgiven。andHspicecircuitsimulationisconductedtoverifytheeffectivenessof radiationhard