《Au／Sn共晶键合技术在MEMS封装中的应用》.pdfVIP

j3凸工、澳5量与设备 Processing，MeasurementandEquipment Au／Sn共晶键合技术在 MEMS封装中的应用 ／ 超 ，徐永青 ，杨拥军 ，杨 志 【 电子科技集团公司 第十三研究所 ，石家庄 050051； 专用集成 电路重点实验室，石家庄 050051) 胥悃 摘要：研 究了Au／Sn共晶圆片键合技术在 MEMS气密性封装 中的应用。设计 了共晶键合 多层材 料的结构和密封环 图形，盖帽层采用Ti／Ni／Au／Sn／Au结构 ，器件层采用Ti／Ni／Au结构，盖帽 层腔体尺寸为 4．5mmx4．5mmx20 m，Au／Sn环的宽度为 700 m，优化 了键合工艺，对影响 气密性的因素 (如组分配比、键合前处理和键合温度等)进行了分析 。两层硅片在氮气气氛q-靠 静态的压力实现紧密接触。在峰值温度为 300℃、持续时间为2min的条件下实现 了良好的键合 效果 ，其剪切 力平均值达到 16．663kg，漏率小于2×10 Pa·cm s，满足检验标准 (GJB548A) 的要求，验证 了Au／Sn共晶键合技术在 MEMS气密封装 中的适用性。 关键词：圆片级键合；键合温度 ；前处理 ；应力；剪切强度 ；漏率 中图分类号 ：TH703；TN305．94 文献标识码 ：A 文章编号：1671—4776 (2014)02—0131—05 ApplicationoftheAu／SnEutecticBondingTechnology inthePackagingofM EM S XuChao ，XuYongqing ，YangYongjun ，YangZhi (1．The13 ResearchInstitute，CETC，Shijiazhuang050051，China； 2．ScienceandTechnologyonASICLaboratory，Shijiazhuang050051，China) Abstract：TheapplicationofAu／Sneutecticwaferbondingtechnologywasresearchedintheher— meticpackagingtechnologyforM EM S．Thestructuresoftheeutecticbondingmulti—layermate— rialsandthepatternofsealingringsweredesigned．ThemetalstructureofthecaplayerisTi／ Ni／Au／Sn／Au，andthebottom layerstructureisTi／Ni／Au．Thecavitysizeofthecaplayeris 4．5mmx4．5mmx20 m，andtheAu／Snsealingringwidthis700,／m．Thebondingprocess wasoptimized．andthekeyfactors (suchasthecompositionratio，bondingpretreatmentand bondingtemperature)affectingtheairtightnessofthehermeticpackagingwereanalyzed．Two layersofsiliconwaferswereclosely contactedbythestaticpressurein thenitrogen atmosphere．The goodbondingwasrealizedatthepeaktemperatureof300℃ forthedurationtimeof2min．Theaverage valueofthehighshearstrengthreaches16．663kga