《Backgating effect in GaAs FETs with a channel–semi-insulating substrate boundary》.pdfVIP

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2015-11-11 发布于河南
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《Backgating effect in GaAs FETs with a channel–semi-insulating substrate boundary》.pdf

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《Backgating effect in GaAs FETs with a channel–semi-insulating substrate boundary》.pdf

Vo1．35，No．3 JournaIofSemiconductors March2014 BackgatingeffectinGaAsFETswithachannel-semi—insulatingsubstrateboundary AhmedChaoukiMegherbi，-，SaidBenramache2，-andAbderrazakGuettafx ， lElectricalEngineeringDepartmentFacultyofTechnology,UniversityofBiskra，Algeria ， 2MaterialSciencesDepartmentFacultyofSciences，UniversityofBiskra，Algeria ， Abstract：Thisstudyofcusesonmodelingtheeffectsofdeepholetraps，mainlytheeffectofthesubstrate(back— gatingeffect)inaGaAstransistorMESFT．Thiseffectisexplainedbytheexistence，attheinterface，ofaspace chargezone．Anymodulationinthisarealeadstoresponselevelstrappingtheholesthereintotheoperatingtern- perature．Wesubsequentlydevelopedamodeltreatingthechanne1substrateinterfaceasanN-piunction，allowing ustodeducethetimedependenceofthecomponentparametersofthetotalresistanceRds，thepinch．ofrvoltage channelresistance，fullyopenRc0andtheparasiticseriesresistanceRstobindtheeffecttrapholesH 1and ， H0．Whencomparedwiththeexperimentalresults，thevaluesoftheRDs()modelforbothtrapsshowthatthere isanagreementbetweentheoryandexperiment；ithasinferredparametertraps．namelythedensityandthetime constantofthetrap．Thismeansthataspacechargeregionexistsatthechannel-substrateinterfaceandthatthe propertiescanbeapproximatedtoanN-Pjunction． Keywords：traps；pinch—offvoltage；resistance；channelsubstrateinterface DoI：10．1088／1674—4926／35／3／034004 EEACC：2570 temialisfixed．However．Khuch