《Mg掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的结构及电传输特性》.pdfVIP

物理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．17(2014) 177401 Mg掺杂n型Sn基VIII型单晶笼合物的结构及 电传输特性术 孟代仪 ) 申兰先 ) 李德聪2) 晒旭霞 ) 邓书康1)十 1)(可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室，太阳能研究所，云南师范大学，昆明 650500) 2)(云南开放大学光电工程学院，昆明 650500) (2014年4月 15日收到；2014年4月30日收到修改稿) 本文采用Sn自熔剂法，制备Mg掺杂Sn基单晶笼合物BasGa16一xMgxSn3o(0≤X ≤1．5)，并对其结 构及电传输性能进行研究．结果表明所制备化合物为具有空间群IYi3m的VIII型单晶笼合物，随Mg掺杂量 的增加，对应化合物的熔点略有升高，晶格常数减小，掺杂样品中填充原子Ba的实际含量低于理想值8．0，其 在十二面体空洞中的占有率约为0．93(Mg的名义含量X =1．5时)．所有样品均表现为n型传导，Mg的掺入 对材料的能带结构有一定影响，