《Si直接键合用GaAs表面化学活化技术》.pdf

加工、测量与设备 Processing，MeasurementandEquipment GaAs／Si直接键合用GaAs表面化学活化技术 马 静 ，刘 雯，杨添舒，时彦朋 ，杨富华，王晓东 (中国科学院 半导体研究所 集成技术工程研究中心，北京 100083) 摘要 ：研究了GaAs／Si疏水性直接键合技术 中GaAs表面化学活化关键工艺，对比分析 了不 同体 积分数的HF和 HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果。发现用HCl 和 H：O溶液处理 GaAs晶片得到的表面均方根粗糙度要优于用 HF处理得到的结果，并且将处 理过的GaAS晶片与Si片进行直接键合 ，发现用 HCl进行表面活化的GaAS晶片与 Si片键合的 成功率要高于用 HF进行表面活化的GaAs和 Si键合 。在200，300和400℃条件下，采用HCl 和 H：O体积比为 1：10的溶液处理的GaAs晶片与 si片都成功键合 ，并且 200℃条件下键合后 的界面质量较好 。 关键词 ：疏水性 ；直接键合 ；清洗工艺；原子力显微镜 ；表面均方根粗糙度 中图分类号 ：TN305．97；TN305．2 文献标识码：A 文章编号：1671—4776 (2014)08—0523—06 GaAsSurfaceChemicalActivationTechnolo forGaAs／SiDirectBonding MaJing，LiuW en，YangTianshu，ShiYanpeng，YangFuhua，W angXiaodong (EngineeringResearchCenterforSemiconductorIntegratedTechnology，InstituteofSemiconductors， ChineseAcademyofSciences，Beijing100083，China) Abstract：ThesurfacechemicalactivationkeytechnologyofGaAsinhydrophobicGaAs／Sidirect bondingwasstudied．TheactivetreatmentresultsofGaAssurfaceswerecomparedandanalyzed usingsurfaceactivetreatmentagentsofHF andHC1withdifferentvolumefractions．Then the processedGaAswaferwasbondedwiththeSiwafer．Itisfoundthattherootmeansquarerough— nessofGaAswafertreatedwiththeHC1andH2O solutioniSbetterthanthatwithHF solution， and thebondingsuccessrateofGaAswaferactivatedwithHCIandSiwaferishigherthanthatof GaAswaferactivatedwithHF andSiwafer．Underthetemperaturesof200，300and400℃ ，the GaAsandSiwaferscanbedirectlybondedbytheHClandH2O solutionwiththevolumepropor— tionof1：10。andtheperformanceofthebondedinterfaceisbetterat200℃． Keywords：hydrophobic；directbonding；cleaningprocess；atomicforcemicroscopy (AFM )； surfacerootmeansquare (RM S)roughness DoI：10．13250／j．cnki．wndz．2014．08．008