HIT电池的结构分析.pptVIP

HIT太阳电池的结构分析 HIT电池的典型结构 上图表示HIT太阳电池的基本构造，其特征是以光照射侧的p-i型a-Si膜( 膜厚5-10 nm) 和背面侧的i-n 型a-Si 膜( 膜厚5-10 nm)夹住单结晶Si 片（图中是250μm）, 在两侧的顶层形成透明的电极和集电极, 构成具有对称构造的HIT 太阳电池。 对于太阳电池的结构特性，除了纯理论的推导以外，往往还采用计算机辅助模拟计算。本文采用P型微晶硅薄膜作为窗口层,采用本征微晶硅薄膜作为缓冲层,采用N型晶体硅作为衬底材料,使用AFORS-HET模拟软件,模拟计算了不同发射层厚度、本征层厚度、能隙宽度、能带失配以及不同界面态密度对μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-Si(n)HIT结构异质结太阳电池性能的影响,并给出最佳工艺参数。 补充1：n型衬底HIT电池性能 补充 2：a—Si：H薄膜太阳电池最佳 i 层厚度的分析与计算 * LOGO 仲玉泉 2011.04.16 详细介绍 1、p-n结通过PECVD的方式，将本征非晶硅和p型非晶硅层沉积到n型单晶硅层的衬底上； 2、在另一侧，背面场结构由本征非晶硅和n型非晶硅层构成。 1 　 物理模型 2 　 结果分析与讨论 2. 1 　 发射层厚度对光伏特性的影响 发射层对电池的整体性能有重要影响 ,下图模拟了不同发射层厚度条件下太阳电池性能参数的变化情况 ,在模拟过程中只改变发射层厚度 ,保持其他参数不变 ,且忽略发射层与衬底间界面态的影响。 模拟结果表明,随着发射层厚度的减小,电池各项光伏参数均提高,其中对开路电压(Voc)和短路电流(Jsc)影响最大. 这是因为与c-Si基区相比较,μc-Si:H发射层有更多的缺陷,大量载流子在发射区复合.另一方面,发射层扩散长度很短,只有漂移电流无扩散电流,发射层内产生的载流子对总电流几乎没有贡献,所以发射层厚度增加必然导致Jsc减小,进而导致Voc和填充因子(FF)减小,最终导致效率(η)降低.所以,发射层要尽可能薄. 2.2　本征层对电池性能的影响 2.2.1　本征层厚度的影响　 图4是不考虑界面态时,电池光伏特性随微晶硅本征层厚度的变化曲线.不插入本征层时,光电转换效率为19%;本征层厚度为1 nm时,光电转换效率最高,由19%增加到19.9%;本征层厚度继续增加,光电转换效率减小;本征层厚度大于30 nm时,电池性能反而变差,这一结果可由图5得到证明. 图5是不同缓冲层厚度情况下电池的光谱响应曲线.从图5可以看出,当缓冲层的厚度增加时,电池的短波响应变差,导致电池性能下降. 总结 通过以上模拟分析和计算，结果显示,在低界面缺陷态密度(1×1011cm-2)和合适的掺杂浓度下,当发射层厚度约为5nm,插入厚度约为5nm、带隙为1.6 eV的本征层时,电池性能最好,其中Voc=669.5 mV，Jsc=35.53mA/cm2,FF=83.48%,η=19.86%. *