新模具失效与维护 教学课件 陈志刚第四章课件 4.4.pptVIP

PVD法同CVD法一样能有效地强化模具的使用性能，提高模具的使用寿命。但是，PVD法的绕镀性较差，对深孔、窄槽的模具就难以进行；CVD法由于沉积温度太高，使用受到一定的限制；等离子体化学气相沉积（PCVD）由于既保留传统CVD的本质，又具有PVD的优点，克服了PVD和CVD的局限性，因此，PCVD技术在工业上得到了广泛应用，大幅度地提高了模具的使用寿命。 4．4．2．4 PVD应用实例 例1 录音机磁头外壳拉深模的物理气相沉积处理 录音机磁头外壳形状为带有圆弧面的矩形。材料为厚度0.65mm的Fe-Ni奥氏体合金板材。采用拉深工艺成形。 拉探模具材料在国外使用WC基的硬质合金。由于采用了先进技术，日本同类模具的总寿命可达120万次，但国内同种模具使用寿命较低，主要失效形式为工作零件早期崩裂。如采用Cr12MoV钢制造的模具工作零件，其寿命不高，短的只有几千次，长的也不超过3万次，分析其原因是： * * 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 4．4 模具表面的气相沉积技术 气相沉积是将含有形成沉积元素的气相物质输送到工件表面，在工件表面形成沉积层的工艺方法。其通常是在工件表面覆盖0.5～1.0μm的一层过渡族元素（Ti、V、Cr、Zr、W、Mo、Ta、Nb等）与C、N、O和B的化合物。按机理可分为物理气相沉积和化学气相沉积两种。气相沉积技术已广泛应用于模具的表面强化处理，常用的沉积层为TiC、TiN等。 其性能特点如下： （1）具有高的硬度（TiC为3200～4100HV，TiN为2450HV）、低的摩擦因数和自润滑性。 （2）具有高的熔点（TiC为3160℃，TiN为2950℃），化学稳定性好以及具有高的抗粘着磨损能力，发生咬合、冷焊的倾向小。 （3）具有较强的耐腐蚀能力和较高的抗高温氧化能力。 4．4．1 化学气相沉积（CVD） 化学气相沉积是利用气态物质在一定的温度下于固体表面进行化学反应，并在表面上生成固态沉积膜的过程，通常称为CVD（Chemical Vapour Deposition）法。 CVD法是通过高温气相反应而生成其化合物的一种气相镀覆。涂层材料可以是氧化物、碳化物、氯化物、硼化物，也可以是Ⅲ-V、Ⅱ-Ⅳ、Ⅳ-Ⅵ族的二元或多元化合物。通过基体材料、涂层材料和工艺的选择，可以得到许多特殊结构和特殊功能的涂层。在微电子学工艺、半导体光电技术、太阳能利用、光纤通信、超导技术、复合材料、装饰和防护涂层（耐磨、耐热、耐蚀）等新技术领域得到越来越多的应用。 例如Cr12MoV钢制冷冲裁模，用CVD法沉积TiN涂层，其使用寿命提高2～7倍；Cr12MoV钢制冷拉深凸模，用于黄铜弹壳的成型，经CVD沉积6～8μm厚的TiC涂层，其寿命高达100万次，比镀铬凸模提高4倍。下面着重介绍模具强化的TiC和TiN涂层。 4．4．1．1 CVD原理 1．CVD原理 将含有涂层材料元素的反应介质置于较低温度下汽化，然后送入高温反应室与工件表面接触产生高温化学反应，析出合金或金属及其化合物沉积于工件表面形成涂层。 （1）CVD反应的基本条件 要想获得所需要的CVD涂层，CVD的反应必须具有一定条件，即能够形成所需的沉积层；反应物的汽化点较低，且易获得高纯度沉积层；沉积设备简单，操作方便，成本适宜。 （2）CVD反应机理 CVD反应主要是利用化学反应进行气态沉积，可被利用的化学反应有热解反应、还原与置换反应等。 （3）CVD涂层形成机理 CVD法沉积层的形成机理是在基体（工件）触媒上进行的气体化学反应中产生析出物的结晶过程，沉积层的生成与生长是在基体表面上同时进行的，因此，它不能独立地加以控制。图4-58为化学气相沉积过程示意图。 沉积过程可以归纳为如下步骤： 1）反应气体介质向基体材料表面扩散并被吸附。 2）吸附于基体材料表面的各反应产物发生表面化学反应。 3）析出物(生成物)质点向适当的表面位置迁移聚集，形成晶核。 4）表面化学反应中产生的气体脱离基体材料表面，返回气相。 5）沉积层与基体材料的界面发生元素的相互扩散，形成中间层。 4．4．1．2 CVD种类 化学气相沉积技术有多种分类方法。按主要特征进行综合分类，可分为热CVD、低压CVD、等离子体CVD、激光（诱导）CVD、金属有机化合物CVD等。 1．热化学气相沉积（TCVD） 热化学气相沉积是利用高温激活化学反应进行气相生长的方法，常应用于半导体和其他材料。广泛应用的CVD技术，如金属有机化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等，都属于这个范围。